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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGP30N6S2由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGP30N6S2价格参考。Fairchild SemiconductorFGP30N6S2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGP30N6S2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGP30N6S2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FGP30N6S2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(单栅双极型晶体管)、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) FGP30N6S2适用于各种开关电源设计,例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功率损耗,提高效率,适合中小功率的电源管理应用。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关速度和较低的导通电阻使其能够高效地控制电机的启停、转向和速度调节。 3. LED驱动 在LED照明应用中,FGP30N6S2可以用作开关元件来实现恒流或恒压驱动。它支持高频率操作,有助于减少滤波器尺寸并优化整体设计。 4. 电池管理 这款MOSFET适合用于电池保护电路,例如锂离子电池组中的充放电控制。它可以提供过流保护、短路保护等功能,同时确保低功耗。 5. 逆变器和UPS系统 在小型逆变器或不间断电源(UPS)中,FGP30N6S2可用作功率级开关器件,帮助实现高效的交流-直流或直流-交流转换。 6. 消费电子设备 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理和负载切换功能。它的紧凑封装(如TO-252/DPAK)非常适合空间受限的设计。 特性总结: - 耐压:60V,适用于低压系统。 - 电流:连续漏极电流可达30A,满足较高电流需求。 - 低Rds(on):典型值为8.5mΩ(@ Vgs=10V),减少传导损耗。 - 快速开关:适合高频工作环境。 综上所述,FGP30N6S2广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和紧凑设计的各种领域,特别是在消费电子、工业控制和汽车电子中表现优异。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 6ns/40ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 108A |
描述 | IGBT 600V 45A 167W TO220AB |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 23nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGP30N6S2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 55µJ (开), 100µJ (关) |
TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,12A |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | FGP30N6S2_NL |
功率-最大值 | 167W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 45A |
输入类型 | 标准 |