Datasheet下载- 型号： NGTB20N120LWG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB20N120LWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB20N120LWG价格参考。ON SemiconductorNGTB20N120LWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB20N120LWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB20N120LWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NGTB20N120LWG是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - UGBT（超结功率MOSFET）类别。该型号具有以下关键特性：耐压1200V、连续漏极电流20A（在特定条件下）、低导通电阻以及快速开关性能。这些特点使其适用于多种高压和高效率的应用场景，包括但不限于： 1. 开关电源（SMPS） 用于高频开关电源中，作为主开关器件，提供高效的能量转换。其高耐压能力支持宽输入电压范围的应用，例如AC-DC适配器或工业电源。 2. 电机驱动 在高压电机驱动系统中，该MOSFET可用于逆变器电路，实现对电机速度和方向的精确控制。适合应用于电动工具、家用电器和工业设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动。 3. 太阳能逆变器 在光伏系统中，NGTB20N120LWG可用作功率级开关，将直流电转换为交流电，满足并网或离网需求。其高效率和低损耗特性有助于提高系统的整体转换效率。 4. 不间断电源（UPS） 用于UPS系统的逆变和整流电路中，确保在市电中断时能够持续稳定地供电。其高压特性和快速开关能力使它非常适合此类应用。 5. 电动汽车充电器 在车载充电器或外部充电桩中，这款MOSFET可作为功率开关，支持高效的DC-DC或AC-DC转换过程。 6. PFC（功率因数校正）电路 用于提升功率因数的BOOST电路中，该MOSFET能够承受高电压应力，同时保持较低的传导损耗和开关损耗。 7. 固态继电器（SSR） 作为固态继电器的核心元件，用于替代传统机械继电器，提供更长寿命和更高可靠性的开关功能。 总结来说，NGTB20N120LWG凭借其高耐压、大电流和高效能的特点，广泛应用于需要高压切换和高效率能量转换的领域，尤其适合工业、消费电子和新能源相关产品。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 86ns/235ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A 192W TO247-3IGBT 晶体管 1200V/20A IGBT FSI TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 200nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB20N120LWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB20N120LWG |
| SwitchingEnergy | 3.1mJ （开）， 700µJ （关） |
| TestCondition | 600V，20A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB20N120LWG-ND |
| 功率-最大值 | 192W |
| 功率耗散 | 77 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/trench-and-field-stop-igbts/50258 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | NGTB20N120L |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
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