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IRG4PH50SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PH50SPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PH50SPBF价格参考。International RectifierIRG4PH50SPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRG4PH50SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PH50SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRG4PH50SPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个晶体管类型,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRG4PH50SPBF适用于开关电源的设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。它能够高效地进行高频开关操作,降低开关损耗,提升电源转换效率。 - 常见应用:笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源等。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动和控制中,该MOSFET可用于逆变器电路,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 应用领域:家用电器(如风扇、洗衣机)、电动工具、无人机电机驱动等。 3. 电池管理系统(BMS) - 用于电池充放电保护电路中,作为开关元件控制电流流向,确保电池安全运行。 - 应用场景:锂电池保护板、电动车电池管理系统等。 4. 逆变器 - 在光伏逆变器或小型逆变器中,该器件可将直流电转换为交流电,满足家庭或工业用电需求。 - 特点:低导通电阻(Rds(on)),减少能量损失,提高逆变效率。 5. 负载切换 - 用于负载切换电路中,快速接通或断开负载,保证系统稳定运行。 - 应用实例:汽车电子中的继电器替代方案、消费电子产品中的电源管理模块。 6. 信号放大与驱动 - 在一些需要功率放大的场景中,IRG4PH50SPBF可以作为驱动级元件,提供足够的电流和电压输出。 - 应用示例:音频功放、传感器驱动等。 技术优势: - 低导通电阻:降低功率损耗,提升整体效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少电磁干扰。 - 良好的热性能:确保长时间稳定运行。 综上所述,IRG4PH50SPBF在消费电子、工业控制、汽车电子和新能源等领域均有广泛应用,是一款性能优异的MOSFET器件。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 32ns/845ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 114A |
描述 | IGBT 1200V 57A 200W TO247ACIGBT 晶体管 1200V DC-1kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 167nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PH50SPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4PH50SPBF |
SwitchingEnergy | 1.8mJ (开), 19.6mJ (关) |
TestCondition | 960V, 33A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,33A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRG4PH50SPBF |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 57 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 57A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4ph50s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4ph50s.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
集电极最大连续电流Ic | 33 A |