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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH30N6S2D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH30N6S2D价格参考。Fairchild SemiconductorFGH30N6S2D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH30N6S2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH30N6S2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH30N6S2D是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超低导通电阻(Ultra Low Gate Charge,UGBT)系列。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): FGH30N6S2D适用于各种开关电源设计,如AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和低栅极电荷(Qg)特性可以提高效率并减少开关损耗。 2. 电机驱动: 该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关速度和高电流承载能力能够满足电机控制的需求。 3. 电池管理: 在电池保护电路或电池管理系统(BMS)中,FGH30N6S2D可以用作负载开关或保护开关,以防止过流、短路等异常情况。 4. 逆变器: 用于小型逆变器应用,例如太阳能微型逆变器或便携式逆变器。其高效性能有助于提高能量转换效率。 5. LED驱动: 在大功率LED照明系统中,这款MOSFET可以用作PWM调光开关或恒流控制元件,确保LED亮度稳定且节能。 6. 消费类电子产品: 包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。其紧凑封装(如TO-252/DPAK)非常适合空间受限的设计。 7. 工业自动化: 在工业控制系统中作为信号隔离或功率放大器件,支持各类传感器接口和执行器驱动。 总之,FGH30N6S2D凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的场景中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 6ns/40ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 108A |
描述 | IGBT 600V 45A 167W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 23nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGH30N6S2D |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 55µJ (开), 100µJ (关) |
TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,12A |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | FGH30N6S2D_NL |
功率-最大值 | 167W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 46ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 300 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 45A |
输入类型 | 标准 |