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  • 型号: SGP13N60UFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGP13N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP13N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP13N60UFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGP13N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGP13N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGP13N60UFDTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 MOSFET 晶体管,属于 UGBT(超结功率 MOSFET)系列。该器件具有以下主要特性:耐压高达 600V、低导通电阻(Rds(on)),以及出色的开关性能。基于这些特点,SGP13N60UFDTU 的典型应用场景包括:

1. 开关电源 (SMPS)  
   SGP13N60UFDTU 的高耐压和快速开关能力使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。

2. 电机驱动  
   在工业自动化和家用电器中,该器件可用于驱动中小型电机,提供高效的开关控制和稳定的电流输出。

3. 逆变器  
   适用于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 等场景,能够高效地将直流电转换为交流电。

4. 电磁兼容性 (EMI) 滤波电路  
   其快速的开关特性和低损耗性能可减少电磁干扰,适合用于 EMI 滤波电路的设计。

5. 负载切换与保护  
   在需要高电压切换的应用中,如汽车电子或工业设备,该器件可以实现快速、可靠的负载切换和过流保护。

6. PFC(功率因数校正)电路  
   由于其低导通电阻和高效率,SGP13N60UFDTU 可用于提升 PFC 电路的性能,降低能量损耗。

总之,SGP13N60UFDTU 凭借其高耐压、低损耗和快速开关能力,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

20ns/70ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

52A

描述

IGBT 600V 13A 60W TO220

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

25nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SGP13N60UFDTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

85µJ (开), 95µJ (关)

TestCondition

300V, 6.5A, 50 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,6.5A

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

60W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

55ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

13A

输入类型

标准

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