Datasheet下载- 型号： STGF10NC60KD
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF10NC60KD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF10NC60KD价格参考。STMicroelectronicsSTGF10NC60KD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGF10NC60KD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGF10NC60KD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGF10NC60KD是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反并联二极管的功率器件，属于晶体管中的IGBT类别，常用于中高功率的电力电子应用。该器件具有较高的效率和可靠性，适用于需要高频开关和高电流处理能力的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电机驱动：用于工业自动化中的变频器和伺服驱动器，控制交流电机的速度与转矩。 2. 电源转换：如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器等，实现高效的能量转换。 3. 家电控制：例如电磁炉、洗衣机等大功率家电中的功率控制模块。 4. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统等，用于将直流电转换为交流电并网使用。 5. 电动车相关设备：包括车载充电器、电机控制器等。 该器件具备良好的热稳定性和过载能力，适合在较恶劣环境下工作，广泛应用于工业、消费电子和新能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/72ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 9A 25W TO220FPIGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 19nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF10NC60KDPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGF10NC60KD |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 85µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 5A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，5A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-5114-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF100924?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 功率耗散 | 25 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 22ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 9A |
| 系列 | STGF10NC60KD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 9 A |
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