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Datasheet下载- 型号： FGD3N60LSDTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FGD3N60LSDTM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGD3N60LSDTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGD3N60LSDTM价格参考。Fairchild SemiconductorFGD3N60LSDTM封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 6A 40W Surface Mount D-Pak。您可以下载FGD3N60LSDTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGD3N60LSDTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGD3N60LSDTM是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道MOSFET，属于高压功率MOSFET器件，主要应用于需要高效开关性能的电源系统中。其600V耐压和3A连续漏极电流能力，使其适用于多种中低功率场景。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、LED照明驱动电源、电源适配器及充电器等消费类电子设备。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，该器件能有效降低导通损耗与开关损耗，提升整体能效，满足能源之星等节能标准。 此外，FGD3N60LSDTM也常用于电机控制、家用电器中的小功率逆变电路以及工业控制电源模块。其采用的先进封装技术（如PowerDI5™）有助于提高散热效率，适合紧凑型设计需求。 综上，FGD3N60LSDTM凭借高可靠性、高效率和良好的热性能，广泛应用于对空间、功耗和成本敏感的中小功率电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 40ns/600ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 25A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 40W DPAKIGBT 晶体管 600V IGBT HID Application |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 12.5nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGD3N60LSDTM- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGD3N60LSDTM |
| SwitchingEnergy | 250µJ （开）， 1mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 3A, 470 欧姆, 10V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 10V，3A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FGD3N60LSDTMDKR |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 反向恢复时间(trr) | 234ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 系列 | FGD3N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 6 A |
