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产品简介:
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SGS10N60RUFTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点。该器件常用于需要高效能功率转换与控制的应用场景,适用于多种电力电子系统。 应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等便携设备的AC-DC电源转换,提供高效能与小型化设计。 2. DC-DC 转换器:在服务器、通信设备及工业电源中,用于电压调节与能量传输,支持高频开关以提高效率。 3. 电机驱动与控制:适用于小型电机、风扇、泵等设备的驱动电路,具备快速开关能力,降低能量损耗。 4. 照明系统:如LED驱动电源,用于恒流控制与高效能调光功能。 5. 消费类电子产品:如电视、音响、智能家居设备中的电源管理模块。 6. 工业自动化设备:用于传感器、执行器、继电器等控制电路中的功率开关。 该器件采用表面贴装封装(如DPAK或类似),便于自动化生产与散热管理,适合中高功率密度应用。其600V耐压与10A电流能力,使其在多数中功率应用中表现稳定可靠。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 15ns/36ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
描述 | IGBT 600V 16A 55W TO220F |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 30nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SGS10N60RUFTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 141µJ (开), 215µJ (关) |
TestCondition | 300V, 10A, 20 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,10A |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 55W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
输入类型 | 标准 |