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- 型号： NGD8205NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD8205NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD8205NT4G价格参考。ON SemiconductorNGD8205NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGD8205NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD8205NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NGD8205NT4G是一款N沟道MOSFET单管，采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件主要应用于需要高效开关和功率控制的场合。 典型应用场景包括：电源管理模块，如DC-DC转换器、同步整流电路，用于提升电源转换效率；电机驱动系统，广泛用于电动工具、家用电器和小型工业设备中的直流电机控制；LED照明驱动电源，实现高效恒流控制；消费类电子产品，如笔记本电脑、显示器和适配器中的负载开关与电源切换；此外，也适用于电池供电设备中的功率开关，以降低功耗并延长续航时间。 NGD8205NT4G采用紧凑型表面贴装封装（如DPAK或类似），便于在空间受限的PCB设计中使用，同时具备良好的散热能力，适合中等功率应用。其额定电压和电流参数使其在成本与性能之间达到良好平衡，是中小功率电源设计中的优选器件。 综上，NGD8205NT4G适用于对效率、尺寸和可靠性有要求的中低功率电子系统，广泛服务于消费电子、工业控制和绿色能源等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 125W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD8205NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD8205NT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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