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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP14NC60KD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP14NC60KD价格参考¥8.68-¥13.51。STMicroelectronicsSTGP14NC60KD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGP14NC60KD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP14NC60KD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的STGP14NC60KD是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结功率MOSFET(UGBT系列)。该型号的主要应用场景如下: 1. 开关电源(SMPS) - STGP14NC60KD适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(600V)使其能够在高压环境下高效工作,适合用于计算机电源、服务器电源、工业电源以及消费类电子设备的适配器。 2. 电机驱动 - 在电机控制领域,这款MOSFET可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高电机驱动效率,减少发热。 3. 逆变器 - 该器件广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中。在这些应用中,MOSFET需要承受高电压并实现高效的能量转换,STGP14NC60KD凭借其优异的电气特性能够满足这些需求。 4. PFC(功率因数校正)电路 - 在功率因数校正电路中,这款MOSFET可以用于提升输入功率因数,降低谐波失真。它适用于家用电器、工业设备和照明系统的PFC设计。 5. 电动工具 - STGP14NC60KD适合用于电动工具中的功率管理模块,例如电钻、电锯等。其高耐用性和快速开关能力能够支持这些工具在高负载条件下的稳定运行。 6. 汽车电子 - 虽然STGP14NC60KD不是专门为汽车设计的AEC-Q101认证产品,但在某些非关键汽车应用中(如车窗升降器、座椅调节器或小型风扇控制),它也可以被采用。 核心优势: - 高耐压能力:600V击穿电压,适用于高压场景。 - 低导通电阻:典型值为140mΩ(@ Vgs=10V),降低功耗。 - 快速开关特性:优化的栅极电荷设计,减少开关损耗。 - 高可靠性:具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。 综上所述,STGP14NC60KD是一款高性能的功率MOSFET,适用于多种需要高效功率转换和开关操作的应用场景。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22.5ns/116ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
描述 | IGBT 600V 25A 80W TO220IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 34.4nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP14NC60KDPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGP14NC60KD |
SwitchingEnergy | 82µJ (开), 155µJ (关) |
TestCondition | 390V, 7A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,7A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-5121-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF100926?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 80W |
功率耗散 | 28 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 37ns |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 11 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 150 uA |
标准包装 | 50 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 25A |
系列 | STGP14NC60KD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流Ic | 7 A |