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Datasheet下载- 型号： IGW50N65H5FKSA1
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IGW50N65H5FKSA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IGW50N65H5FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW50N65H5FKSA1价格参考。InfineonIGW50N65H5FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 650V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IGW50N65H5FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGW50N65H5FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IGW50N65H5FKSA1的器件属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管）类别，是用于高功率应用的关键元件。该器件结合了MOSFET的易驱动特性和BJT（双极型晶体管）的低导通压降优势，具备高效能和高可靠性的特点。 应用场景包括： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器等，用于控制交流电机的速度与转矩，提升能效与控制精度。 2. 新能源领域： - 光伏逆变器：将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并网使用。 - 储能系统：用于能量双向变换器中，实现电能的存储与释放。 3. 电动汽车相关设备： - 车载充电器（OBC） - DC-DC转换器 - 电动车充电桩 4. 家电应用：如高效变频空调、电磁炉等需要高频开关与高效率功率转换的产品。 5. 电源系统：包括UPS（不间断电源）、开关电源（SMPS）等，用于提高转换效率与系统稳定性。 该IGBT适用于需要高频率开关、高效率与紧凑设计的中高功率场合，广泛应用于绿色能源、智能制造及电动交通等领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 21ns/180ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW50N65H5FKSA1TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IGW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af900f52c5c25 |
| 产品型号 | IGW50N65H5FKSA1 |
| SwitchingEnergy | 520µJ （开）， 180µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 25A， 12 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，50A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | SP001001744 |
| 功率-最大值 | 305W |
| 功率耗散 | 305 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | IGW50N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 56 A |
