Datasheet下载- 型号： HGTP7N60A4D
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP7N60A4D由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP7N60A4D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP7N60A4D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP7N60A4D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP7N60A4D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的HGTP7N60A4D是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结沟道场效应晶体管）类别。以下是该型号的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) HGTP7N60A4D因其低导通电阻和高击穿电压（600V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如： - 反激式转换器 - 正激式转换器 - LLC谐振转换器 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小功率电机，包括但不限于： - 直流无刷电机（BLDC） - 步进电机 - 家电中的风扇或泵电机 3. 逆变器 在光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，HGTP7N60A4D可用作功率级开关元件，提供高效的能量转换。 4. 直流-直流转换器 由于其高效率和快速开关特性，该MOSFET适用于各种降压或升压DC-DC转换器设计。 5. 电磁阀控制 HGTP7N60A4D能够可靠地切换电磁阀负载，广泛应用于工业自动化、汽车电子等领域。 6. 电池管理系统 (BMS) 在电动车或储能系统的电池管理中，这款MOSFET可作为充放电路径上的开关或保护器件。 7. 汽车电子 该器件满足汽车环境对可靠性和耐久性的要求，适用于车载充电器、LED照明驱动及各类车载电子控制系统。 总结 HGTP7N60A4D凭借其600V的额定电压、低导通电阻以及出色的热性能，在需要高效功率转换和开关操作的场合表现优异。它适合多种工业、消费类和汽车电子应用，特别是在高压、高频环境中发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 11ns/100ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 56A |
| 描述 | IGBT 600V 34A 125W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 37nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP7N60A4D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 60µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 7A, 25 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HGTP7N60A4D_NL |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 34ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 34A |
| 输入类型 | 标准 |
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