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FGPF70N30TDTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF70N30TDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF70N30TDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF70N30TDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 300V 49.2W Through Hole TO-220F。您可以下载FGPF70N30TDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF70N30TDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF70N30TDTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 UGBT(超结功率 MOSFET)系列。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - FGPF70N30TDTU 的高电压耐受能力(300V 耐压)和低导通电阻(典型值为 0.7Ω)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 常见于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流器件。 2. 电机驱动 - 在工业自动化、家用电器和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。 - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高效率,减少发热。 3. 逆变器 - 适用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器系统,用于将直流电转换为交流电。 - 高效的开关性能有助于提升能量转换效率。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电动车、储能系统或便携式设备的电池管理中,可用作充放电控制开关。 - 其低导通电阻可降低功率损耗,延长电池使用寿命。 5. 负载切换 - 在通信设备、服务器和其他需要动态负载管理的场景中,用作负载切换开关。 - 快速的开关速度和稳定的性能确保了系统的可靠运行。 6. 电磁阀和继电器驱动 - 在工业控制和汽车电子中,可用于驱动电磁阀或继电器。 - 高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在恶劣环境下工作。 7. LED 照明驱动 - 在大功率 LED 照明应用中,作为恒流源或调光控制开关。 - 提供高效的功率转换,减少热量产生。 总结 FGPF70N30TDTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种电力电子设备中。它特别适合需要高效能、高可靠性和低功耗的场景,如开关电源、电机驱动、逆变器和电池管理系统等。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 300V 49.2W TO220FIGBT 晶体管 300V 70A PDP |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 125nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF70N30TDTU- |
数据手册 | |
产品型号 | FGPF70N30TDTU |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 49.2W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 21ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 30 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
系列 | FGPF70N30 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |