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  • 型号: FGPF70N30TDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FGPF70N30TDTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF70N30TDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF70N30TDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF70N30TDTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 300V 49.2W Through Hole TO-220F。您可以下载FGPF70N30TDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF70N30TDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGPF70N30TDTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 UGBT(超结功率 MOSFET)系列。其主要应用场景包括:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FGPF70N30TDTU 的高电压耐受能力(300V 耐压)和低导通电阻(典型值为 0.7Ω)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - 常见于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流器件。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化、家用电器和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。
   - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高效率,减少发热。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器系统,用于将直流电转换为交流电。
   - 高效的开关性能有助于提升能量转换效率。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电动车、储能系统或便携式设备的电池管理中,可用作充放电控制开关。
   - 其低导通电阻可降低功率损耗,延长电池使用寿命。

 5. 负载切换
   - 在通信设备、服务器和其他需要动态负载管理的场景中,用作负载切换开关。
   - 快速的开关速度和稳定的性能确保了系统的可靠运行。

 6. 电磁阀和继电器驱动
   - 在工业控制和汽车电子中,可用于驱动电磁阀或继电器。
   - 高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在恶劣环境下工作。

 7. LED 照明驱动
   - 在大功率 LED 照明应用中,作为恒流源或调光控制开关。
   - 提供高效的功率转换,减少热量产生。

 总结
FGPF70N30TDTU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种电力电子设备中。它特别适合需要高效能、高可靠性和低功耗的场景,如开关电源、电机驱动、逆变器和电池管理系统等。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 300V 49.2W TO220FIGBT 晶体管 300V 70A PDP

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

125nC

IGBT类型

沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF70N30TDTU-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FGPF70N30TDTU

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.5V @ 15V,20A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

49.2W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

21ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 30 V

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

系列

FGPF70N30

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

300 V

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