Datasheet下载- 型号： NGTB40N120IHLWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB40N120IHLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB40N120IHLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB40N120IHLWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB40N120IHLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB40N120IHLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGTB40N120IHLWG的ON Semiconductor产品是一款高耐压、大电流的IGBT（绝缘栅双极型晶体管），主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合。其典型应用场景包括： 1. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器中，实现对电机速度和扭矩的精确控制，适用于自动化生产线、数控机床等设备。 2. 新能源领域：常见于太阳能逆变器和储能系统中，用于将直流电转换为交流电输出，具备高效率和高可靠性的特点。 3. 电动汽车相关设备：如车载充电器（OBC）和电驱系统，该IGBT可支持高频率开关操作，有助于提高系统整体能效。 4. 家电控制：在高端家电如变频空调、电磁炉中用于功率调节，实现节能与静音运行。 5. 电源系统：用于UPS（不间断电源）、开关电源等，提供稳定、高效的功率开关功能。 该器件具备低导通压降和优化的开关损耗特性，适用于高要求的工业和能源管理应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/360ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 320A |
| 描述 | IGBT 1200V 40A TO247IGBT 晶体管 1200V/40A FS1 IGBT IH |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 420nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB40N120IHLWG |
| SwitchingEnergy | 1.4mJ（关） |
| TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.35V @ 15V， 40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 260W |
| 功率耗散 | 260 W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | NGTB40N120IHL |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
