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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)生产的型号为STGW20IH125DF的器件属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)单管,归类于晶体管 - IGBT、MOSFET - 单。该器件主要面向高功率开关应用,具有1200V的高电压阻断能力和20A的额定电流,采用先进的沟槽栅场截止(Trench-Field Stop)技术,具备低导通损耗和开关损耗的特点。 STGW20IH125DF广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括工业电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、感应加热设备以及电动汽车充电基础设施等。在光伏逆变器中,该IGBT可用于DC-AC转换环节,实现高效的能量转换;在工业变频器中,它可作为主开关元件,控制交流电机的速度与转矩;此外,在各类中高功率开关电源和电能质量调节装置中也发挥着关键作用。 该器件还具备良好的热稳定性和抗短路能力,适合在严苛工作环境下长期运行。其封装形式(如SOT-404/TO-247)便于散热设计和模块集成,进一步提升了系统可靠性。总体而言,STGW20IH125DF是一款适用于中高功率、高频开关场合的高性能IGBT,特别适合追求效率与紧凑设计的现代电力电子设备。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | -/106ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
描述 | IGBT 1250V 40A 259W TO-247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 68nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGW20IH125DF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 410µJ (关) |
TestCondition | 600V, 15A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,15A |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-14559-5 |
功率-最大值 | 259W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1250V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
输入类型 | 标准 |