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IRGIB6B60KDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGIB6B60KDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGIB6B60KDPBF价格参考。International RectifierIRGIB6B60KDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 11A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak。您可以下载IRGIB6B60KDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGIB6B60KDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRGIB6B60KDPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: IRGIB6B60KDPBF适用于各种开关电源(SMPS)和直流-直流转换器,能够高效地进行电压调节和功率转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理领域表现出色。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于控制小型电机的启动、停止和速度调节。由于其高电流处理能力和快速响应速度,它适合应用于家用电器、工业设备和自动化系统中的电机驱动电路。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,IRGIB6B60KDPBF可以作为关键的功率开关器件,用于将直流电转换为交流电。其耐高压特性和高效性能使其非常适合此类应用。 4. 不间断电源(UPS): 此型号的MOSFET可广泛应用于UPS系统中,提供稳定可靠的电力支持。它能够在主电源中断时迅速切换到备用电池供电,确保设备持续运行。 5. 电动车与混合动力车: 在电动车和混合动力车的电力管理系统中,IRGIB6B60KDPBF可用于电池管理系统(BMS)以及牵引逆变器中,以实现高效的能量管理和动力输出。 6. 照明系统: 该MOSFET也可用于LED照明系统的驱动电路中,提供精确的电流控制,从而提高照明效率并延长灯具寿命。 7. 通信设备: 在基站和其他通信设备中,IRGIB6B60KDPBF可用于信号放大和功率调节,确保通信质量的同时降低能耗。 综上所述,IRGIB6B60KDPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源等领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/215ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 22A |
描述 | IGBT 600V 11A 38W TO220FPIGBT 晶体管 600V Low-Vceon |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 18.2nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGIB6B60KDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGIB6B60KDPBF |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 110µJ (开), 135µJ (关) |
TestCondition | 400V, 5A, 100 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,5A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRGIB6B60KDPBF |
功率-最大值 | 38W |
功率耗散 | 38 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 70ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 11 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 11A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
集电极最大连续电流Ic | 11 A |