【未分类_HGTD3N60C3S9A】封装/厂家_HGTD3N60C3S9A中文资料_价格

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型号： HGTD3N60C3S9A
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60C3S9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60C3S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGTD3N60C3S9A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60C3S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60C3S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的HGTD3N60C3S9A是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - UGBT（Ultrafast Gold Bond Transistor）系列，主要应用于高电压、高效率和低损耗的场景。以下是其典型应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   HGTD3N60C3S9A适用于各种开关电源设计，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压（600V）和低导通电阻特性，能够有效减少开关损耗并提高转换效率。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于驱动中小型电机，例如家用电器中的风扇、泵或压缩机。其快速开关特性和低Rds(on)可降低功耗，提升系统性能。

3. 逆变器：  
   在光伏逆变器或UPS（不间断电源）中，这款MOSFET可以作为功率开关元件，用于将直流电转换为交流电。其高效能表现有助于实现更长的续航时间和更高的输出功率。

4. 电磁兼容性（EMI）滤波电路：  
   HGTD3N60C3S9A可用于EMI滤波器中的功率开关部分，帮助抑制电磁干扰，同时保持较高的能量转换效率。

5. PFC（功率因数校正）电路：  
   在需要进行功率因数校正的应用中，此MOSFET能够提供稳定的开关性能，确保输入电流与电压同相位，从而满足严格的能效标准。

6. 负载切换与保护：  
   它还可用于负载切换和过流保护电路中，通过快速响应和可靠切断异常电流来保护下游设备。

总结来说，HGTD3N60C3S9A凭借其优异的电气参数和稳定性，广泛适用于工业控制、消费电子、通信设备以及绿色能源领域中的各种功率转换和控制场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	-
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	24A
描述	IGBT 600V 6A 33W TO252AA
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	10.8nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTD3N60C3S9A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	85µJ （开）， 245µJ （关）
TestCondition	480V， 3A， 82欧姆， 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2V @ 15V，3A
供应商器件封装	TO-252AA
功率-最大值	33W
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	6A
输入类型	标准