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IRG4BC40UPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC40UPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC40UPBF价格参考。International RectifierIRG4BC40UPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC40UPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC40UPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRG4BC40UPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别,适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景及其特点: 1. 开关电源(SMPS) - IRG4BC40UPBF常用于开关电源中,作为主开关器件。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度能够显著降低导通损耗和开关损耗,提高电源转换效率。 - 应用实例:适配器、充电器、PC电源等。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中,这款MOSFET可以高效地控制电流流动,支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动电路。 - 特点:高耐压能力(400V)使其适合高压电机驱动场景,同时低Rds(on)减少了发热问题。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,将直流电转换为交流电。IRG4BC40UPBF的高性能特性能够实现高效的能量转换。 - 特点:快速开关性能和低损耗设计有助于提升逆变器的整体效率。 4. DC-DC转换器 - 在汽车电子或工业设备中的DC-DC转换器中,该MOSFET可作为同步整流器或主开关使用,提供稳定的电压输出。 - 应用实例:车载充电器、LED驱动器等。 5. 高频电路 - 由于其快速开关特性和低栅极电荷(Qg),IRG4BC40UPBF非常适合高频电路应用,例如无线充电、高频振荡器等。 - 特点:能够在高频下保持较低的开关损耗。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中,这款MOSFET可以用作开关元件,快速响应并切断异常电流路径,保护后端设备。 总结 IRG4BC40UPBF凭借其高耐压(400V)、低导通电阻(典型值约为0.18Ω)以及快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器、高频电路和保护电路等领域。这些应用场景充分利用了其高效、可靠和低损耗的优势,满足现代电力电子设备对性能和能效的严格要求。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 34ns/110ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 40A 160W TO220ABIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC40UPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BC40UPBF |
SwitchingEnergy | 320µJ (开), 350µJ (关) |
TestCondition | 480V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,20A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRG4BC40UPBF |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 160 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4bc40u.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4bc40u.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |