Datasheet下载- 型号： HGT1S12N60A4S9A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60A4S9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60A4S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S12N60A4S9A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S12N60A4S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60A4S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S12N60A4S9A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道MOSFET器件，属于功率MOSFET类别，常用于高频率开关应用。该器件具有高耐压（600V）、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中，提升转换效率并减小体积。 2. DC-DC转换器：在服务器、通信设备和工业控制系统中，用于电压调节模块，实现高效能电源管理。 3. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、风扇、泵等，实现快速开关和节能运行。 4. 照明系统：用于LED驱动电源，支持高效率和高稳定性的照明解决方案。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备中的电源部分，提供稳定高效的电能转换。 该器件采用小型封装（如PowerPAK® 8x8），适合高密度PCB布局，广泛应用于中低功率电源系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/96ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 600V 54A 167W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 78nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGT1S12N60A4S9A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 50µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，12A |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | HGT1S12N60A4S9ADKR |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 54A |
| 输入类型 | 标准 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HGT1S12N60A4S9A 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商