图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRGP4066DPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRGP4066DPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRGP4066DPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGP4066DPBF价格参考¥100.85-¥100.85。International RectifierIRGP4066DPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRGP4066DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGP4066DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

50ns/200ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

225A

描述

IGBT 600V 140A 454W TO247ACIGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

150nC

IGBT类型

沟道

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGP4066DPBF-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRGP4066DPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

SwitchingEnergy

2.47mJ (开), 2.16mJ (关)

TestCondition

400V, 75A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.1V @ 15V,75A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247AC

功率-最大值

454W

功率耗散

454 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

155ns

商标

International Rectifier

在25C的连续集电极电流

140 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

25

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

25

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-600v-trench-igbts/1437

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

140A

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

推荐商品

型号:IHW40N120R3FKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXGP42N30C3

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ISL9V3036D3S

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IKP15N65F5XKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXGP15N120C

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXEH40N120D1

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STGB6NC60HD-1

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXBK55N300

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRGP4066DPBF 相关产品

IXGH31N60

品牌:IXYS

价格:

AUIRGP4062D1

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXGP12N60C

品牌:IXYS

价格:

IXGH28N120BD1

品牌:IXYS

价格:¥询价-¥询价

ISL9V5045S3S

品牌:ON Semiconductor

价格:

SGB30N60ATMA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

FGP20N6S2D

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRG4BC30U-SPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9) IRGP4066DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4066D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low V Trench IGBT Technology C CE (ON) V = 600V CES • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C I = 75A C(Nominal) • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA G tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C • 100% of The Parts Tested for I LM • Positive V Temperature Coefficient CE (ON) E V typ. = 1.70V CE(on) • Tight Parameter Distribution n-channel • Lead Free Package Benefits C C • High Efficiency in a Wide Range of Applications • Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to E E Low V and Low Switching Losses C C CE (ON) G G • Rugged Transient Performance for Increased Reliability • Excellent Current Sharing in Parallel Operation TO-247AC TO-247AD IRGP4066DPbF IRGP4066D-EPbF G C E Gate Collector Emitter Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Collector-to-Emitter Voltage 600 V CES I @ T = 25°C Continuous Collector Current 140 C C I @ T = 100°C Continuous Collector Current 90 C C INOMINAL Nominal Current 75 I Pulse Collector Current, V = 15V 225 A CM GE I Clamped Inductive Load Current, V = 20V (cid:0) 300 LM GE I @ T = 25°C Diode Continous Forward Current 140 F C I @ T = 100°C Diode Continous Forward Current 90 F C I Diode Maximum Forward Current (cid:2) 300 FM V Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 V GE Transient Gate-to-Emitter Voltage ±30 P @ T = 25°C Maximum Power Dissipation 454 W D C P @ T = 100°C Maximum Power Dissipation 227 D C T Operating Junction and -55 to +175 J T Storage Temperature Range °C STG Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) (cid:3) ––– ––– 0.33 °C/W RθJC (Diode) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) (cid:3) ––– ––– 1.0 RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 1 www.irf.com 10/08/2010

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 — — V V = 0V, I = 100μA (cid:0) (BR)CES GE C ΔV(BR)CES/ΔTJ Temperature Coeff. of Breakdown Voltage — 0.30 — V/°C VGE = 0V, IC = 2.0mA (25°C-175°C) — 1.70 2.10 I = 75A, V = 15V, T = 25°C (cid:2) C GE J V Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 2.0 — V I = 75A, V = 15V, T = 150°C (cid:2) CE(on) C GE J — 2.1 — I = 75A, V = 15V, T = 175°C (cid:2) C GE J V Gate Threshold Voltage 4.0 — 6.5 V V = V , I = 2.1mA GE(th) CE GE C ΔV /ΔTJ Threshold Voltage temp. coefficient — -21 — mV/°C V = V , I = 2.1mA (25°C - 175°C) GE(th) CE GE C gfe Forward Transconductance — 50 — S V = 50V, I = 75A, PW = 60μs CE C I Collector-to-Emitter Leakage Current — 1.0 100 μA V = 0V, V = 600V CES GE CE — 1040 — V = 0V, V = 600V, T = 175°C GE CE J V Diode Forward Voltage Drop — 2.23 3.0 V I = 75A FM F — 1.8 — I = 75A, T = 175°C F J I Gate-to-Emitter Leakage Current — — ±200 nA V = ±20V GES GE Switching Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions Q Total Gate Charge (turn-on) — 150 225 I = 75A g C Q Gate-to-Emitter Charge (turn-on) — 40 60 nC V = 15V ge GE Q Gate-to-Collector Charge (turn-on) — 60 90 V = 400V gc CC E Turn-On Switching Loss — 2465 3360 I = 75A, V = 400V, V = 15V on C CC GE E Turn-Off Switching Loss — 2155 3040 μJ R = 10Ω, L = 200μH, T = 25°C off G J Etotal Total Switching Loss — 4620 6400 Energy losses include tail & diode reverse recovery t Turn-On delay time — 50 70 I = 75A, V = 400V, V = 15V d(on) C CC GE t Rise time — 70 90 ns R = 10Ω, L = 200μH, T = 25°C r G J t Turn-Off delay time — 200 225 d(off) t Fall time — 60 80 f E Turn-On Switching Loss — 3870 — I = 75A, V = 400V, V =15V on C CC GE E Turn-Off Switching Loss — 2815 — μJ R =10Ω, L=200μH, T = 175°C off G J Etotal Total Switching Loss — 6685 — Energy losses include tail & diode reverse recovery t Turn-On delay time — 50 — I = 75A, V = 400V, V = 15V d(on) C CC GE t Rise time — 70 — ns R = 10Ω, L = 200μH r G t Turn-Off delay time — 240 — T = 175°C d(off) J t Fall time — 70 — f C Input Capacitance — 4440 — pF V = 0V ies GE C Output Capacitance — 245 — V = 30V oes CC C Reverse Transfer Capacitance — 130 — f = 1.0Mhz res T = 175°C, I = 300A J C RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area FULL SQUARE V = 480V, Vp (cid:0) 600V CC Rg = 10Ω, V = +20V to 0V GE SCSOA Short Circuit Safe Operating Area 5 — — μs V = 400V, Vp (cid:0)(cid:2)600V CC Rg = 10Ω, V = +15V to 0V GE Erec Reverse Recovery Energy of the Diode — 470 — μJ T = 175°C J t Diode Reverse Recovery Time — 155 — ns V = 400V, I = 75A rr CC F I Peak Reverse Recovery Current — 27 — A V = 15V, Rg = 10Ω, L = 60μH rr GE Notes: (cid:2) V = 80% (V ), V = 20V, L = 10μH, R = 10Ω. CC CES GE G (cid:3) Pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4) Refer to AN-1086 for guidelines for measuring V safely. (cid:5) Rθ is measured at T of approximately 90°C. (BR)CES J 2 www.irf.com

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 140 400 120 300 100 A()C 80 W()o t 200 I 60 Pt 40 100 20 0 0 25 50 75 100 125 150 175 25 50 75 100 125 150 175 TC (°C) TC (°C) Fig. 1 - Maximum DC Collector Current vs. Fig. 2 - Power Dissipation vs. Case Case Temperature Temperature 1000 1000 100 10μsec 100μsec 100 1msec A) A) ( C 10 DC ( C I I 10 1 Tc = 25°C Tj = 175°C Single Pulse 0.1 1 1 10 100 1000 10 100 1000 VCE (V) VCE (V) Fig. 3 - Forward SOA Fig. 4 - Reverse Bias SOA TC = 25°C, TJ ≤ 175°C; VGE =15V TJ = 175°C; VGE =20V 300 300 250 250 VGE = 18V 200 VGE = 15V 200 VGE = 18V A()I CE150 VVVGGGEEE === 11820.0VVV A()I CE150 VVVVGGGGEEEE ==== 1118520.0VVVV 100 100 50 50 0 0 0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 VCE (V) VCE (V) Fig. 5 - Typ. IGBT Output Characteristics Fig. 6 - Typ. IGBT Output Characteristics T = -40°C; tp = ≤60μs T = 25°C; tp = ≤60μs J J www.irf.com 3

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 300 300 V = 18V GE V = 15V 250 GE 250 V = 12V GE V = 10V 200 GE 200 V = 8.0V GE A() CE150 A()IF 150 I 100 100 -40°C 25°C 175°C 50 50 0 0 0 2 4 6 8 10 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VCE (V) VF (V) Fig. 7 - Typ. IGBT Output Characteristics Fig. 8 - Typ. Diode Forward Characteristics T = 175°C; tp = ≤60μs tp = 80μs J 20 20 18 18 16 16 14 14 12 I = 38A 12 V) CE V) ICE = 38A (CE 10 IICE == 7155A0A (CE 10 ICE = 75A V 8 CE V 8 ICE = 150A 6 6 4 4 2 2 0 0 5 10 15 20 5 10 15 20 VGE (V) VGE (V) Fig. 9 - Typical V vs. V Fig. 10 - Typical V vs. V CE GE CE GE T = -40°C T = 25°C J J 20 300 18 A) 16 (nt 250 TJ = 25°C e 14 Curr 200 TJ = 175°C VV()CE 11028 IIICCCEEE === 713558A0AA mEeoorr--t tti 110500 6 ct e oll 4 C C, 50 2 I 0 0 5 10 15 20 4 6 8 10 12 14 16 18 VGE (V) VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V) Fig. 11 - Typical V vs. V Fig. 12 - Typ. Transfer Characteristics CE GE T = 175°C V = 50V; tp = 60μs J CE 4 www.irf.com

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 12000 1000 10000 tdOFF 8000 s) n egμyJr() 6000 EON mTeng( i 100 tF En hci 4000 wi EOFF S tdON 2000 tR 0 10 0 25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 I (A) IC (A) C Fig. 13 - Typ. Energy Loss vs. I Fig. 14 - Typ. Switching Time vs. I C C T = 175°C; L = 200μH; V = 400V, R = 10Ω; V = 15V T = 175°C; L = 200μH; V = 400V, R = 10Ω; V = 15V J CE G GE J CE G GE 11000 10000 9000 ns)1000 J) 7000 e( tdOFF μ m y( Ti egr EON ng tF En 5000 whcii 100 tR EOFF S 3000 tdON 1000 10 0 25 50 75 100 0 20 40 60 80 100 120 Rg (Ω) RG (Ω) Fig. 15 - Typ. Energy Loss vs. R Fig. 16 - Typ. Switching Time vs. R G G T = 175°C; L = 200μH; V = 400V, I = 75A; V = 15V T = 175°C; L = 200μH; V = 400V, I = 75A; V = 15V J CE CE GE J CE CE GE 35 30 RG = 5.0Ω 30 RG = 10Ω 25 25 A) A) ( R ( R IR 20 RG = 47Ω IR 20 15 R 100Ω G = 10 15 20 40 60 80 100 120 140 160 0 20 40 60 80 100 IF (A) RG (Ω) Fig. 17 - Typ. Diode I vs. I Fig. 18 - Typ. Diode I vs. R RR F RR G T = 175°C T = 175°C J J www.irf.com 5

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 30 3000 5.0Ω 150A 10Ω 47Ω 25 2500 A) Cn) 100Ω 75A ( R (R R R I Q 38A 20 2000 15 1500 200 300 400 500 600 700 200 300 400 500 600 700 diF /dt (A/μs) diF /dt (A/μs) Fig. 19 - Typ. Diode I vs. di /dt Fig. 20 - Typ. Diode Q vs. di /dt RR F RR F V = 400V; V = 15V; I = 75A; T = 175°C V = 400V; V = 15V; T = 175°C CC GE F J CC GE J 400 20 800 RG = 10Ω 350 Tsc 15 600 300 RG = 22Ω μJ) s) Isc Cu gy( 250 eμ( 10 400 rren Ener RG = 47Ω mTi (A)t 200 5 200 150 RG = 100Ω 100 0 0 10 20 30 40 50 60 70 8 10 12 14 16 18 IF (A) VGE (V) Fig. 21 - Typ. Diode E vs. I Fig. 22 - V vs. Short Circuit Time RR F GE T = 175°C V = 400V; T = 25°C J CC C 10000 16 Cies V) 14 VCES = 400V ge( 12 VCES = 300V a F)1000 otl p V 10 e( er anc mtti 8 Capacti 100 CCroeess GEoae--tt 6 , E 4 G V 2 10 0 0 100 200 300 400 500 0 20 40 60 80 100 120 140 160 VCE (V) Q G, Total Gate Charge (nC) Fig. 23 - Typ. Capacitance vs. V Fig. 24 - Typical Gate Chargevs. V CE GE V = 0V; f = 1MHz I = 75A; L = 485μH GE CE 6 www.irf.com

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 1 D = 0.50 )C 0.1 hJ 0.20 Z t 0.10 Raeponess( l 0.01 000...000512 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τCτR000i ...(010°039C744/324W841 ) 000 τ...000i 000(02s0081e037c949) m Ther0.001 S( TINHGELREM PAULL RSEESPONSE ) CiC= iτi /Ri/iRi 0.09294 0.0182 Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 25. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT) 10 1 )C D = 0.50 J h Z t 0.20 es( 0.1 00..0150 R1R R2R R3R R4R Ri (°C/W) τi (sec) Raepons l 0.01 00..0021 τJτJτ1τ1 1 τ2τ2 2 τ3τ33 τ4τ44τCτ 000...043214730387807 000...000000050024508335 mer CiC= iτi /Ri/iRi 0.22819 0.034407 h T0.001 Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 SINGLE PULSE 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc ( THERMAL RESPONSE ) 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig. 26. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE) www.irf.com 7

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF L L 80 V + DUT VCC 0 - DUT VCC 1K Rg Fig.C.T.1 - Gate Charge Circuit (turn-off) Fig.C.T.2 - RBSOA Circuit diode clamp / DUT L 4X DC VCC -5V DUT / VCC DUT DRIVER Rg SCSOA Fig.C.T.3 - S.C. SOA Circuit Fig.C.T.4 - Switching Loss Circuit C force R = VCC ICM 100K D1 22K C sense VCC DUT DUT Rg G force 0.0075μF E sense E force Fig.C.T.5 - Resistive Load Circuit Fig.C.T.6 - BVCES Filter Circuit 8 www.irf.com

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF 600 120 600 120 tf tr 500 100 500 100 TEST 90% ICE CURRENT 90% 400 80 400 ICE 80 300 60 300 60 V) A) V) A) V (CE200 40 I (CE V (CE 200 40 I (CE 5% V 10% CE 5% V 100 20 100 ICE CE 20 5% I CE 0 0 0 0 Eon Eoff Loss Loss -100 -20 -100 -20 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 7.6 7.8 8.0 8.2 time(µs) time (µs) Fig. WF1 - Typ. Turn-off Loss Waveform Fig. WF2 - Typ. Turn-on Loss Waveform @ T = 175°C using Fig. CT.4 @ T = 175°C using Fig. CT.4 J J 90 700 700 80 Q 70 RR 600 600 60 VCE 500 500 50 t 40 RR 400 400 30 ) ) V ) V A V (F 1200 Vce ( 300 ICE 300 I (CE 0 200 200 -10 Peak I RR 100 100 -20 -30 0 0 -40 -50 -100 -100 -0.20 -0.10 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 -3 0 3 6 9 12 time (µS) Time (uS) Fig. WF3 - Typ. Diode Recovery Waveform Fig. WF4 - Typ. S.C. Waveform @ T = 175°C using Fig. CT.4 @ T = 25°C using Fig. CT.3 J J www.irf.com 9

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:24)(cid:16)(cid:12)(cid:19)(cid:25)(cid:10)(cid:3)(cid:26)(cid:14)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:13)(cid:23)(cid:12)(cid:14)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:2)0(cid:3)(cid:17)(cid:14)(cid:20)(cid:2)* (cid:11)(cid:24)(cid:19)(cid:23)(cid:5)(cid:19)(cid:23)(cid:5)(cid:3)(cid:15)(cid:5)(cid:19)(cid:4)(cid:22)(cid:14)(cid:2)&(cid:9)(cid:5) $(cid:19)(cid:11)(cid:24)(cid:5)(cid:3)(cid:23)(cid:23)(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:0)(cid:5) (cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:2)(cid:4) (cid:20)(cid:13)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:2)(cid:5)’1’2 (cid:19)(cid:15)(cid:11)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:3)(cid:11)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:3)(cid:20) (cid:3)(cid:23)(cid:23)(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:2)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:15)(cid:5)$$(cid:5)&’((cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:9)(cid:6) (cid:4)(cid:2)(cid:12)(cid:11)(cid:19)(cid:22)(cid:19)(cid:2)(cid:4) (cid:0)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:13) (cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:7) (cid:19)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:24)(cid:2)(cid:5)(cid:3)(cid:23)(cid:23)(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:0)(cid:5)(cid:20)(cid:19)(cid:15)(cid:2)(cid:5)!(cid:24)! (cid:0)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:0)(cid:4) (cid:10)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:2) (cid:3)(cid:23)(cid:23)(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:0) (cid:0)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:9)(cid:6) (cid:15))(cid:30)(cid:31)*(cid:5)!(cid:14)!(cid:5)(cid:25)(cid:26)(cid:5)(cid:29) (cid:31)+,-.(cid:5)-(cid:25)(cid:26)(cid:31)(cid:5)/) (cid:25)(cid:30)(cid:25))(cid:26) (cid:20)(cid:13)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:2) $(cid:2)(cid:2)%(cid:5)&’ (cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:25)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:31) (cid:5)!(cid:20)(cid:31)(cid:29)(cid:27)"(cid:22)#(cid:31)(cid:31)! (cid:20)(cid:19)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:24) TO-247AC package is not recommended for Surface Mount Application. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) 10 www.irf.com

IRGP4066DPbF/IRGP4066D-EPbF (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:28)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:24)(cid:16)(cid:12)(cid:19)(cid:25)(cid:10)(cid:3)(cid:26)(cid:14)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:28)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:13)(cid:23)(cid:12)(cid:14)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:3)(cid:24)(cid:0)(cid:4)(cid:25)(cid:6)(cid:3)(cid:26) (cid:21)(cid:22)(cid:20)(cid:2)(cid:9)(cid:20)(cid:2)(cid:9)(cid:0)(cid:15)(cid:9)(cid:20)(cid:8)(cid:27)(cid:25)(cid:17)(cid:10)(cid:5)(cid:28)(cid:12)(cid:10)(cid:29)(cid:13)(cid:30)(cid:3) (cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:9)(cid:0)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:9) (cid:25)(cid:0)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:15)"(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:8) (cid:6)(cid:14)(cid:21)(cid:9)(cid:31)(cid:14)(cid:13)(cid:3)(cid:9)(cid:18) (cid:18)! (cid:20)(cid:15)(cid:21)(cid:3)(cid:8)(cid:15)(cid:0)(cid:21)(cid:20)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:6) (cid:0)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:9)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:10) (cid:8)(cid:3)(cid:31)(cid:21)(cid:20)#(cid:20)(cid:3)(cid:8) (cid:6)(cid:14)(cid:27)(cid:14) (cid:0)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5) (cid:20)(cid:15)(cid:9)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:0)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:20)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:23)(cid:22)(cid:23) (cid:4)(cid:6)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:4)(cid:7) (cid:13)(cid:0)(cid:21)(cid:3)(cid:9)(cid:31)(cid:14)(cid:13)(cid:3) (cid:0)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:7)(cid:3)(cid:0)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11)(cid:9)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:10) (cid:15)$%&(cid:26)(cid:9)(cid:23)(cid:25)(cid:23)(cid:9)’((cid:9))**&+,-.(cid:9)-’(&(cid:9)/$*’%’$( (cid:6)(cid:14)(cid:21)(cid:9)(cid:31)(cid:14)(cid:13)(cid:3) (cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:29)(cid:9)(cid:17)(cid:18) ’(0’1)%&*(cid:9)(cid:23)(cid:6)&)0(cid:30)#2&&(cid:23) (cid:6)(cid:20)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:22) TO-247AD package is not recommended for Surface Mount Application. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 10/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRGP4066D-EPBF IRGP4066DPBF