Datasheet下载- 型号： STGP10NB60SD
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP10NB60SD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP10NB60SD价格参考。STMicroelectronicsSTGP10NB60SD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGP10NB60SD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGP10NB60SD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STGP10NB60SD是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反并联二极管的功率器件，属于晶体管中的IGBT类别，常用于功率转换和电机控制等领域。 该器件的主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器等，用于控制交流电机的速度与转矩，具备高耐压和高电流能力，适合工业环境。 2. 家电控制：如空调、洗衣机、冰箱等变频家电中的压缩机或风扇电机控制，提高能效和运行稳定性。 3. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统等，用于直流到交流的功率转换，支持清洁能源的高效利用。 4. 电动汽车相关应用：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等，适用于中高功率电能转换需求。 5. 电源设备：如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）等，用于实现高效、高密度的电源设计。 该器件采用高性能沟槽式IGBT技术，具备低导通压降和开关损耗，集成续流二极管也提升了系统可靠性，适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 700ns/1.2µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 600V 29A 80W TO220IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 33nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP10NB60SDPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGP10NB60SD |
| SwitchingEnergy | 600µJ （开）， 5mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 10A, 1 千欧, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.75V @ 15V， 10A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-5008-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF67299?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 功率耗散 | 3.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 37ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 29A |
| 系列 | STGP10NB60SD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 20 A |
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