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HGTG40N60A4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG40N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG40N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG40N60A4封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG40N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG40N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG40N60A4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高电压、大电流的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于功率转换和电机控制等高功率应用场景。 该器件具有40A额定集电极电流和600V额定集电极-发射极电压,适用于需要高效能和高可靠性的系统。其典型应用场景包括: 1. 变频器与伺服驱动器:用于工业自动化设备中的电机控制,实现精准的速度与位置控制。 2. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,将直流电转换为交流电。 3. 家电控制:如电磁炉、洗衣机等高功率家电中的功率控制模块。 4. 电动汽车充电系统:用于车载充电机或充电桩中的功率转换部分。 5. 电力电子变换装置:如DC-AC、DC-DC转换器,适用于各类电源管理系统。 由于其具备低导通压降和较低的开关损耗,HGTG40N60A4在高效率和高频率工作条件下表现优异,是工业与消费类高功率电子产品中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 25ns/145ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 300A |
| 描述 | IGBT 600V 75A 625W TO247IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 350nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor HGTG40N60A4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HGTG40N60A4 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 400µJ (开), 370µJ (关) |
| TestCondition | 390V, 40A, 2.2欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,40A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | HGTG40N60A4_NL |
| 功率-最大值 | 625W |
| 功率耗散 | 625 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
| 系列 | HGTG40N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 75 A |
| 零件号别名 | HGTG40N60A4_NL |