Datasheet下载- 型号： IXBF12N300
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBF12N300由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBF12N300价格参考。IXYSIXBF12N300封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBF12N300参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBF12N300 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXBF12N300是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单沟道N沟道功率MOSFET，具有高耐压和大电流承载能力。其主要应用场景集中在需要高电压开关控制的电力电子系统中。 该器件典型应用于高压电源系统，如直流高压电源、激光电源、X射线发生器等，因其具备3000V的漏源击穿电压（VDS）和良好的开关特性，适合在高电压环境下稳定工作。此外，IXBF12N300也广泛用于工业电场设备，如静电除尘、静电喷涂和空气净化系统，这些应用依赖其高效、快速的开关响应来实现精确的电场控制。 在脉冲功率技术领域，如电磁脉冲发生器、雷达系统和粒子加速器中，该MOSFET可作为高速开关元件，用于产生和控制瞬态高能脉冲。同时，它也适用于高电压逆变器和DC-AC转换系统，在新能源或特殊测试设备中发挥关键作用。 由于其封装形式（TO-247）具有良好的散热性能和电气绝缘能力，IXBF12N300可在高温、高湿、高辐射等恶劣工业环境中可靠运行。但使用时需注意驱动电路设计，避免因电压尖峰或寄生振荡导致器件损坏。 总之，IXBF12N300主要用于高电压、高可靠性要求的工业、医疗和科研领域，是高压功率开关应用中的关键元器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 98A |
| 描述 | IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 62nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXBF12N300 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | BIMOSFET™ |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.2V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 1.4µs |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5（3 引线） |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 3000V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 26A |
| 输入类型 | 标准 |
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