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产品简介:
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ON Semiconductor的FGH60N6S2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(单个功率MOSFET)类别。该型号具有以下关键参数和应用场景: 1. 电气特性: - 电压等级:60V,适合中低压应用。 - 最大连续漏极电流:通常在几十安培范围内,具体取决于工作条件。 - Rds(on)(导通电阻)较低,有助于减少导通损耗,提高效率。 2. 应用场景: - 开关电源(SMPS):FGH60N6S2适用于各种开关电源设计,如适配器、充电器等。其低导通电阻和快速开关能力可以有效降低能量损耗。 - 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机驱动电路中,提供高效的开关控制。 - 逆变器:在小型逆变器应用中,该MOSFET能够实现稳定的电力转换。 - 负载切换:可用于汽车电子或工业控制中的负载切换功能,确保快速且可靠的切换操作。 - LED驱动:在LED照明系统中作为开关元件使用,帮助调节亮度并优化能耗。 3. 优势特点: - 高效节能:低Rds(on)值减少了功率损耗,提高了整体系统的能效。 - 快速开关速度:缩短了开关时间,降低了开关损耗,并支持高频工作环境。 - 稳定可靠:经过严格测试,在各种恶劣条件下仍能保持良好性能。 总之,FGH60N6S2凭借其优良的电气特性和稳定性,广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等领域,尤其是在需要高效电能转换和精确控制的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 18ns/70ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 320A |
描述 | IGBT 600V 75A 625W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 140nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGH60N6S2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 400µJ (开), 310µJ (关) |
TestCondition | 390V, 40A, 3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,40A |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | FGH60N6S2_NL |
功率-最大值 | 625W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 150 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
输入类型 | 标准 |