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  • 型号: FGH60N6S2
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH60N6S2由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH60N6S2价格参考。Fairchild SemiconductorFGH60N6S2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH60N6S2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH60N6S2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH60N6S2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(单个功率MOSFET)类别。该型号具有以下关键参数和应用场景:

1. 电气特性:
   - 电压等级:60V,适合中低压应用。
   - 最大连续漏极电流:通常在几十安培范围内,具体取决于工作条件。
   - Rds(on)(导通电阻)较低,有助于减少导通损耗,提高效率。

2. 应用场景:
   - 开关电源(SMPS):FGH60N6S2适用于各种开关电源设计,如适配器、充电器等。其低导通电阻和快速开关能力可以有效降低能量损耗。
   - 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机驱动电路中,提供高效的开关控制。
   - 逆变器:在小型逆变器应用中,该MOSFET能够实现稳定的电力转换。
   - 负载切换:可用于汽车电子或工业控制中的负载切换功能,确保快速且可靠的切换操作。
   - LED驱动:在LED照明系统中作为开关元件使用,帮助调节亮度并优化能耗。

3. 优势特点:
   - 高效节能:低Rds(on)值减少了功率损耗,提高了整体系统的能效。
   - 快速开关速度:缩短了开关时间,降低了开关损耗,并支持高频工作环境。
   - 稳定可靠:经过严格测试,在各种恶劣条件下仍能保持良好性能。

总之,FGH60N6S2凭借其优良的电气特性和稳定性,广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等领域,尤其是在需要高效电能转换和精确控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

18ns/70ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

320A

描述

IGBT 600V 75A 625W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

140nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FGH60N6S2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

400µJ (开), 310µJ (关)

TestCondition

390V, 40A, 3 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,40A

供应商器件封装

TO-247

其它名称

FGH60N6S2_NL
FGH60N6S2_NL-ND

功率-最大值

625W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

150

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

75A

输入类型

标准

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