Datasheet下载- 型号： IXXH80N65B4
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXH80N65B4由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXH80N65B4价格参考。IXYSIXXH80N65B4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXXH80N65B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXXH80N65B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXH80N65B4是一款高电压、大电流的IGBT（绝缘栅双极型晶体管），常用于高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器，用于控制交流电机的速度和转矩。 2. 电源转换系统：如UPS（不间断电源）、开关电源（SMPS），实现高效的电能转换。 3. 新能源领域：用于太阳能逆变器、风力发电变流器中，将直流电转换为交流电并入电网。 4. 电动汽车与充电设备：在车载充电器、DC-DC转换器中发挥开关作用，提升能效。 5. 家电与白色家电：如电磁炉、高频感应加热设备，实现高效能量控制。 该器件具备高耐压（650V）、大电流（80A）特性，适合高频开关应用，结合了MOSFET的高输入阻抗与BJT的低导通压降优点，具备良好的热稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 38ns/120ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 430A |
| 描述 | IGBT 650V 160A 625W TO247ADIGBT 晶体管 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXH80N65B4GenX4™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXH80N65B4 |
| SwitchingEnergy | 3.77mJ （开）， 1.2mJ （关） |
| TestCondition | 400V， 80A， 3 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V， 80A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXXH） |
| 功率-最大值 | 625W |
| 功率耗散 | 625 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 160 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 160A |
| 系列 | IXXH80N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 80 A |
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