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IXYH50N65C3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYH50N65C3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYH50N65C3价格参考。IXYSIXYH50N65C3封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 650V 130A 600W 通孔 TO-247(IXYH)。您可以下载IXYH50N65C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXYH50N65C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXYH50N65C3是一款高电压、大电流的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能功率转换的电力电子设备中。其应用场景主要包括: 1. 电源供应器:适用于服务器、工业设备和高功率电源模块中的DC-DC转换器和PFC(功率因数校正)电路。 2. 电机驱动:在变频器和电机控制装置中,用于实现高效、快速的开关控制,适用于工业自动化和电动工具。 3. 新能源系统:如光伏逆变器和储能系统,用于将直流电转换为交流电,具备高效率和高可靠性。 4. 电动汽车充电设备:用于车载充电器或充电桩的功率转换模块,支持高电压平台和大电流输出。 5. UPS(不间断电源):在UPS系统中用于实现高效的电能转换与稳定输出。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小散热设计负担。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 22ns/80ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 250A |
| 描述 | IGBT 650V 130A 600W TO247IGBT 晶体管 650V/130A XPT C3-Class TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 80nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYH50N65C3GenX3™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYH50N65C3 |
| SwitchingEnergy | 1.3mJ (开), 370µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 36A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V, 36A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXYH) |
| 功率-最大值 | 600W |
| 功率耗散 | 600 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 130 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 130A |
| 系列 | IXYH50N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.74 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 130 A |