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FGA30S120P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA30S120P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA30S120P价格参考。Fairchild SemiconductorFGA30S120P封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 348W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA30S120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA30S120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGA30S120P 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管,属于 UGBT 和 MOSFET - 单类型。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:FGA30S120P 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等应用中,能够高效地进行电压和电流的转换与调节,适用于需要高效率和低损耗的场景。 2. 电机驱动:该型号适合用于工业自动化中的电机驱动电路,例如伺服电机、步进电机等。其高耐压特性和低导通电阻有助于提高电机控制的精度和效率。 3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,FGA30S120P 可以作为关键的功率开关元件,实现直流到交流的转换。 4. 电动车和混合动力车:此 MOSFET 适用于电动车和混合动力车的电池管理系统以及牵引逆变器中,提供可靠的功率控制和能量管理。 5. 负载开关和保护电路:由于其出色的电气性能,FGA30S120P 还可以用于设计各种负载开关和保护电路,确保设备的安全运行。 6. 家电产品:在一些高端家用电器如空调、洗衣机等中,该器件被用来优化能效并增强产品的耐用性。 总之,FGA30S120P 凭借其卓越的性能参数,在需要高性能功率切换和精确控制的多种工业及消费类电子产品中都有广泛的应用。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 1300V 60A 348W TO3PIGBT 晶体管 Shorted AnodeTM IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 78nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA30S120P- |
数据手册 | |
产品型号 | FGA30S120P |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,30A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 348W |
功率耗散 | 174 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 60 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 25 V |
栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
系列 | FGA30S120P |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1300 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |