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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT30H65FB由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT30H65FB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT30H65FB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGWT30H65FB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGWT30H65FB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的型号为STGWT30H65FB的器件是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于晶体管中的功率器件,常用于高电压和高电流的应用场景。 该器件的主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:如变频器、伺服驱动器等,用于控制电机的转速和转矩,具有高效和稳定的特点。 2. 新能源领域:如光伏逆变器、风力发电变流器中,用于将直流电转换为交流电并网使用。 3. 电动汽车系统:用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电驱系统中,具备高耐压和低导通压降特性,适合高效率功率转换。 4. 家电应用:如电磁炉、变频空调等高功率家电中,用于功率控制和能量转换。 5. 智能电网与储能系统:用于UPS(不间断电源)、储能逆变器等系统中,实现高效的能量管理与转换。 该IGBT具备良好的热稳定性和可靠性,适合在高频率开关环境下工作,广泛应用于需要高效能功率转换的工业与消费类电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 37ns/146ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 30A 260W TO3PLIGBT 晶体管 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 149nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT30H65FB- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT30H65FB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| SwitchingEnergy | 151µJ (开), 293µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-14468-5 |
| 功率-最大值 | 260W |
| 功率耗散 | 260 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 30 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3p |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
| 系列 | STGWT30H65FB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |