Datasheet下载- 型号： NGTB75N60FL2WG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB75N60FL2WG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB75N60FL2WG价格参考。ON SemiconductorNGTB75N60FL2WG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB75N60FL2WG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB75N60FL2WG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NGTB75N60FL2WG是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于超低导通电阻MOSFET（Ultra Low Gate Charge MOSFET, UGBT）系列。该器件具有600V的耐压能力、极低的导通电阻（Rds(on)），以及优化的开关性能，适用于高效率和高频开关的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） NGTB75N60FL2WG适用于各种开关电源设计，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，降低能量损耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）和其他电机驱动应用中，作为功率级开关元件。其高耐压能力和低损耗特性使其适合工业电机控制和家用电器中的电机驱动。 3. 太阳能逆变器 在光伏系统中，该器件可用作逆变器的核心功率开关元件，实现高效的直流到交流转换。其高频性能和低开关损耗有助于提升系统的整体效率。 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV） 该MOSFET可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和辅助电机驱动系统中，支持新能源汽车对高效功率转换的需求。 5. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，NGTB75N60FL2WG可用作主功率开关或电池管理模块中的关键元件，确保系统在高低负载条件下的稳定运行。 6. PFC电路（功率因数校正） 该器件适用于Boost PFC拓扑结构，能够有效减少总谐波失真（THD），提高功率因数，并满足严格的能效标准。 7. 工业自动化设备 在工业领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和机器人控制系统中，该MOSFET可用于功率切换和信号隔离，提供可靠的性能表现。 总结来说，NGTB75N60FL2WG凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和优异的开关特性，广泛应用于需要高效功率转换和高频开关操作的场景中，尤其适合对能效和可靠性要求较高的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 110ns/270ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 600V 75A TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 310nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGTB75N60FL2WG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.5mJ（开），1mJ（关） |
| TestCondition | 400V, 75A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，75A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 595W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | 80ns |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100A |
| 输入类型 | 标准 |
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