Datasheet下载- 型号： NGTB30N120FL2WG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N120FL2WG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N120FL2WG价格参考。ON SemiconductorNGTB30N120FL2WG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB30N120FL2WG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N120FL2WG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGTB30N120FL2WG的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品系列，属于晶体管中的功率器件，常用于高电压和高电流应用场景。 该IGBT具有高耐压（1200V）和较高电流承载能力（30A），适用于以下典型应用场景： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器等，用于实现对电机的高效控制与调速。 2. 逆变器系统：包括太阳能逆变器、储能系统逆变器等，用于将直流电转换为交流电。 3. 电能质量设备：如不间断电源（UPS）、电能调节装置等，用于提高电力系统的稳定性和效率。 4. 感应加热设备：用于电磁炉、工业加热系统中，实现高频开关和高效能量转换。 5. 电动汽车相关应用：如车载充电器、DC-DC转换器等，满足高效率和高可靠性需求。 6. 智能电网与能源管理系统：作为核心开关元件，用于能量的高效传输与分配。 该器件采用高可靠性封装（如TO-247），具备较低的导通压降和开关损耗，适合高频、高效率的功率转换应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 98ns/210ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 1200V 60A 452W TO247IGBT 晶体管 1200V/30A FAST IGBT FSII |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 220nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB30N120FL2WG |
| SwitchingEnergy | 2.6mJ （开）， 700µJ （关） |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB30N120FL2WGOS |
| 功率-最大值 | 452W |
| 功率耗散 | 452 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 240ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | NGTB30N120FL2 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
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