【未分类_HGTG12N60B3】封装/厂家_HGTG12N60B3中文资料_价格

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型号： HGTG12N60B3
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG12N60B3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG12N60B3价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG12N60B3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG12N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG12N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG12N60B3 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET，属于 UGBT（Ultrafast Groove Bipolar Transistor）系列。该型号为 N 沟道增强型 MOSFET，具有 600V 的耐压能力，适用于高电压、高效率的电力电子应用。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - HGTG12N60B3 可用于开关电源中的主开关管，支持高效能的 DC-DC 转换和 AC-DC 转换。
   - 其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和家用电器中，该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。
   - 它能够承受电机启动时的高电流冲击，并提供稳定的运行性能。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统，将直流电转换为交流电。
   - 高电压和低损耗特性使其成为逆变器设计的理想选择。

 4. 电磁炉与感应加热
   - 在电磁炉或感应加热设备中，HGTG12N60B3 可用作高频开关元件，控制加热电路的功率输出。
   - 其快速开关速度和低开关损耗有助于实现高效的能量转换。

 5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)
   - 可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及辅助电源模块。
   - 高压特性使其能够适应汽车电气系统的严苛要求。

 6. 工业电源和照明
   - 在 LED 照明驱动器和工业电源中，该 MOSFET 提供了可靠的开关性能。
   - 其紧凑的封装形式适合空间受限的应用场合。

 特性总结：
- 额定电压：600V
- 连续漏极电流：约 12A（具体取决于工作条件）
- 低 Rds(on)：降低导通损耗
- 快速开关速度：减少开关损耗
- 高可靠性：适合恶劣环境下的长期运行

HGTG12N60B3 凭借其出色的性能参数，广泛应用于需要高效率、高可靠性和高压操作的电力电子领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	26ns/150ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	110A
描述	IGBT 600V 27A 104W TO247
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	51nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTG12N60B3
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	150µJ （开）， 250µJ （关）
TestCondition	480V, 12A, 25 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.1V @ 15V，12A
供应商器件封装	TO-247AD
功率-最大值	104W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
标准包装	300
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	27A
输入类型	标准