Datasheet下载- 型号： NGD15N41CLT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD15N41CLT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD15N41CLT4价格参考。ON SemiconductorNGD15N41CLT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGD15N41CLT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD15N41CLT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NGD15N41CLT4是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管类别中的MOSFET-单器件。该器件主要用于高效率、高频率的电源转换和功率控制应用。 NGD15N41CLT4具有410V的漏源击穿电压（VDS）和15A的连续漏极电流能力，导通电阻低，具备良好的开关性能和热稳定性，适合在高压、大电流环境下工作。其采用先进的工艺技术，可有效降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛应用于工业电源、通信电源、服务器电源等高效率电源系统中，作为主开关管或同步整流器件。 2. DC-DC转换器：适用于中高功率DC-DC变换拓扑，如升压（Boost）、降压（Buck）及半桥结构。 3. 电机驱动：用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的马达驱动电路，实现高效、快速的开关控制。 4. 照明电源：如LED驱动电源，特别适用于高电压输出场合。 5. 新能源领域：可用于太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块。 该器件采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。同时，其具备较高的雪崩耐量和抗干扰能力，增强了系统可靠性。综合来看，NGD15N41CLT4是一款适用于工业、能源和消费类电子中高功率开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/4µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 15A 107W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD15N41CLT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，6.5A，1 千欧 |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 4V， 10A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD15N41CLT4OSDKR |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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