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型号： STGB3NB60FDT4
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB3NB60FDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB3NB60FDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB3NB60FDT4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK。您可以下载STGB3NB60FDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB3NB60FDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的型号STGB3NB60FDT4是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：  
   该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压（600V）和低导通电阻特性使其适合高效能电源管理应用。

2. 电机驱动：  
   在工业自动化和家用电器中，这款MOSFET可用于驱动中小型电机。它能够快速切换并提供稳定的电流输出，适用于风扇、泵和其他小型电机控制。

3. 逆变器：  
   STGB3NB60FDT4适合用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）等设备中，实现直流到交流的转换。其高效率和低损耗特性有助于提升系统的整体性能。

4. 电磁兼容性（EMC）滤波电路：  
   在需要抑制电磁干扰的场景中，该MOSFET可以用作滤波电路中的关键元件，确保信号纯净并减少噪声。

5. 负载开关和保护电路：  
   由于其快速开关特性和良好的热稳定性，这款MOSFET可广泛应用于负载开关及过流保护电路中，确保系统安全运行。

6. 汽车电子：  
   在车载电子系统中，如车窗升降器、座椅调节器或照明控制系统，STGB3NB60FDT4凭借其耐用性和可靠性成为理想选择。

总结来说，STGB3NB60FDT4以其高电压承受能力、低导通电阻和优异的动态性能，非常适合用在电力电子、工业控制以及消费类电子产品等领域中对效率和稳定性要求较高的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	12.5ns/105ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	24A
描述	IGBT 600V 6A 68W D2PAK
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	16nC
IGBT类型	-
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STGB3NB60FDT4
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerMESH™
SwitchingEnergy	125µJ （关）
TestCondition	480V, 3A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.4V @ 15V，3A
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-2449-1
功率-最大值	68W
包装	剪切带（CT）
反向恢复时间(trr)	45ns
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	6A
输入类型	标准