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FGAF40N60UFTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGAF40N60UFTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGAF40N60UFTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGAF40N60UFTU封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 100W 通孔 TO-3PF。您可以下载FGAF40N60UFTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGAF40N60UFTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGAF40N60UFTU是安森美(ON Semiconductor)生产的一款高压、高电流IGBT单管器件,属于晶体管中的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)类别。该器件具有600V的高击穿电压和高达40A的集电极电流能力,适用于高效率、高功率密度的开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:广泛用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和工业电源模块中,实现高效的AC-DC或DC-DC转换。 2. 电机驱动:适用于工业电机控制、家用电器(如变频空调、洗衣机)中的逆变器电路,提供精确的电机调速与节能运行。 3. 照明系统:用于高强度气体放电灯(HID)和感应式照明等电子镇流器中,支持高频稳定工作。 4. 可再生能源系统:在太阳能逆变器中作为核心开关元件,将光伏板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。 5. 感应加热设备:如电磁炉、工业加热装置,利用其高频开关特性实现能量高效耦合。 FGAF40N60UFTU具备低导通损耗和开关损耗、优良的热稳定性及雪崩能量耐受能力,适合在高温、高负载环境下长期可靠运行。其采用TO-247封装,便于散热设计与安装,广泛应用于工业、消费类及绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 15ns/65ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 100W TO3PFIGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 77nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGAF40N60UFTU |
| SwitchingEnergy | 470µJ (开), 130µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3V @ 15V,20A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
| 系列 | FGAF40N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
| 零件号别名 | FGAF40N60UFTU_NL |