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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌)的IGW50N65F5FKSA1是一款采用TO-247封装的650V、50A IGBT单管,属于第五代超结技术(Fast 5)产品,具有低导通损耗和快速开关特性。该器件主要适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 典型应用场景包括:工业电机驱动中的变频器,用于控制交流电机转速与节能;开关电源(SMPS),尤其在大功率电源系统中实现高效DC-AC或AC-DC转换;太阳能逆变器,作为核心开关元件将光伏板产生的直流电转换为交流电;以及不间断电源(UPS)和电焊机等工业电源设备。其快速恢复特性配合优化的体二极管设计,有助于减少开关过程中的能量损耗,提升系统整体效率。 此外,IGW50N65F5FKSA1也适用于感应加热设备,如电磁炉、工业加热系统等需要高频工作的场景。得益于英飞凌先进的制造工艺,该IGBT具备良好的热稳定性和可靠性,适合在较宽温度范围内长期运行。 综上,IGW50N65F5FKSA1广泛应用于工业自动化、新能源发电、电源系统及家用电器等领域,是中高功率应用中实现高效能转换的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 21ns/175ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW50N65F5FKSA1TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IGW50N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af8ed558f5bc5 |
| 产品型号 | IGW50N65F5FKSA1 |
| SwitchingEnergy | 490µJ (开), 160µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 25A, 12 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,50A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | SP000973426 |
| 功率-最大值 | 305W |
| 功率耗散 | 305 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
| 系列 | IGW50N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 56 A |