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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGQ180N33TCD1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGQ180N33TCD1价格参考。IXYSIXGQ180N33TCD1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGQ180N33TCD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGQ180N33TCD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGQ180N33TCD1是一款高功率沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能与高稳定性的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 工业电源与变频器:适用于工业电机驱动、变频器及伺服控制系统,提供高效能的电能转换和稳定输出。 2. 新能源领域:在太阳能逆变器、风力发电变流器等新能源设备中,该MOSFET可用于DC-AC或DC-DC转换,具备高耐压(3300V)和大电流承载能力,适合高压大功率场合。 3. 轨道交通设备:如电力机车、地铁牵引系统中的功率变换装置,该器件的高可靠性和耐高温特性,使其能在严苛环境中稳定运行。 4. 智能电网与储能系统:在储能逆变器和智能电网调节装置中,用于实现电能的高效存储与释放。 5. UPS不间断电源:在UPS系统中作为核心开关元件,确保电力中断时的快速切换和稳定供电。 该器件采用TO-247封装,便于散热和安装,适用于高频率开关应用,具备较低的导通损耗和开关损耗,有助于提高系统整体效率。其高耐压和大电流特性,使其在高压工业控制和能源系统中具有广泛应用价值。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
描述 | IGBT 330V 180A TO3P |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | - |
IGBT类型 | - |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXGQ180N33TCD1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | - |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | - |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 330V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 180A |
输入类型 | 标准 |