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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXX200N65B4由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXX200N65B4价格参考。IXYSIXXX200N65B4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXXX200N65B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXX200N65B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXX200N65B4是一款高压、大电流的MOSFET单管,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)类别,具有650V耐压和高达200A的连续电流能力。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和IGBT在高电压大电流下的低导通损耗优势,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 典型应用场景包括:工业电机驱动,如变频器和伺服控制系统,能够高效控制交流电机的转速与扭矩;开关电源(SMPS),尤其在大功率通信电源、服务器电源和工业电源中,用于DC-AC或DC-DC转换,提升能效;新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块,实现直流电到交流电的高效逆变;电动汽车充电设备,作为主开关元件参与AC-DC或DC-DC变换环节,支持快速充电;感应加热和电焊设备中,利用其高频开关能力和强电流承载性能,实现精确热控制。 此外,IXXX200N65B4具备优化的动态特性与热稳定性,适合在高温、高负载环境下长期运行。其封装形式有利于散热设计,常配合散热器或风冷系统使用。总体而言,该器件广泛应用于需要高可靠性、高效率和高功率处理能力的工业与能源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 62ns/245ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 1000A |
| 描述 | IGBT 650V 370A 1150W PLUS247IGBT 晶体管 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 553nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXX200N65B4GenX4™, XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXX200N65B4 |
| SwitchingEnergy | 4.4mJ (开), 2.2mJ (关) |
| TestCondition | 400V, 100A, 1 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V, 160A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1150W |
| 功率耗散 | 1150 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 370 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 370A |
| 系列 | IXXX200N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 200 A |