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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGR32N170AH1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGR32N170AH1价格参考。IXYSIXGR32N170AH1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGR32N170AH1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGR32N170AH1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXGR32N170AH1是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结MOSFET(UGBT)系列,具有高电压耐受能力和低导通电阻的特点。以下是其主要应用场景: 1. 工业电源 - IXGR32N170AH1适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等工业电源设备。其1700V的额定电压使其能够在高压环境中稳定运行,适合用于高压输入或输出的电源系统。 2. 电机驱动 - 在高压电机驱动应用中,该器件可用于控制高压电机的启动、停止和调速。例如,在电动工具、工业泵、压缩机和其他高压电机驱动场景中,其高效率和快速开关特性能够降低能耗并提高系统性能。 3. 太阳能逆变器 - 该MOSFET可以用于太阳能发电系统的逆变器中,将直流电转换为交流电。其高压特性和低损耗设计有助于提高能量转换效率,减少热损耗。 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) - 在电动车或混合动力车的高压电路中,IXGR32N170AH1可用于电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器以及充电电路。其高耐压能力确保了在高压电池环境下的可靠运行。 5. 不间断电源(UPS) - 在不间断电源系统中,这款MOSFET可用于高压切换和保护电路,确保在市电中断时能够快速切换到备用电池供电,并提供稳定的输出电压。 6. 轨道交通 - 在轨道交通领域,如地铁、高铁或轻轨的牵引系统中,IXGR32N170AH1可用于高压逆变器和变频器,以实现对列车电机的精确控制。 7. 高能物理实验设备 - 在需要高压控制的科学仪器或实验设备中,例如粒子加速器、X射线设备等,该MOSFET可以作为关键的开关元件。 总结 IXGR32N170AH1凭借其1700V的高耐压能力、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于高压电力电子领域。它特别适合需要高效能量转换、高可靠性和低损耗的场景,是工业、能源和交通领域中不可或缺的关键元件。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 46ns/260ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
描述 | IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247IGBT 晶体管 17 Amps 1700V 5.2 Rds |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 155nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGR32N170AH1- |
数据手册 | |
产品型号 | IXGR32N170AH1 |
SwitchingEnergy | 1.5mJ(关) |
TestCondition | 1360V, 21A, 2.7 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 5.2V @ 15V,21A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 230ns |
商标 | IXYS |
在25C的连续集电极电流 | 26 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
封装/箱体 | ISOPLUS247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1700V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 26A |
系列 | IXGR32N170 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
集电极—射极饱和电压 | 4.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 200 A |