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  • 型号: IXGR32N170AH1
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGR32N170AH1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGR32N170AH1价格参考。IXYSIXGR32N170AH1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGR32N170AH1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGR32N170AH1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS公司生产的IXGR32N170AH1是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结MOSFET(UGBT)系列,具有高电压耐受能力和低导通电阻的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 工业电源
   - IXGR32N170AH1适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和逆变器等工业电源设备。其1700V的额定电压使其能够在高压环境中稳定运行,适合用于高压输入或输出的电源系统。

 2. 电机驱动
   - 在高压电机驱动应用中,该器件可用于控制高压电机的启动、停止和调速。例如,在电动工具、工业泵、压缩机和其他高压电机驱动场景中,其高效率和快速开关特性能够降低能耗并提高系统性能。

 3. 太阳能逆变器
   - 该MOSFET可以用于太阳能发电系统的逆变器中,将直流电转换为交流电。其高压特性和低损耗设计有助于提高能量转换效率,减少热损耗。

 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV)
   - 在电动车或混合动力车的高压电路中,IXGR32N170AH1可用于电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器以及充电电路。其高耐压能力确保了在高压电池环境下的可靠运行。

 5. 不间断电源(UPS)
   - 在不间断电源系统中,这款MOSFET可用于高压切换和保护电路,确保在市电中断时能够快速切换到备用电池供电,并提供稳定的输出电压。

 6. 轨道交通
   - 在轨道交通领域,如地铁、高铁或轻轨的牵引系统中,IXGR32N170AH1可用于高压逆变器和变频器,以实现对列车电机的精确控制。

 7. 高能物理实验设备
   - 在需要高压控制的科学仪器或实验设备中,例如粒子加速器、X射线设备等,该MOSFET可以作为关键的开关元件。

 总结
IXGR32N170AH1凭借其1700V的高耐压能力、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于高压电力电子领域。它特别适合需要高效能量转换、高可靠性和低损耗的场景,是工业、能源和交通领域中不可或缺的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

46ns/260ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247IGBT 晶体管 17 Amps 1700V 5.2 Rds

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

155nC

IGBT类型

NPT

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGR32N170AH1-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXGR32N170AH1

SwitchingEnergy

1.5mJ(关)

TestCondition

1360V, 21A, 2.7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

5.2V @ 15V,21A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

ISOPLUS247™

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

散装

反向恢复时间(trr)

230ns

商标

IXYS

在25C的连续集电极电流

26 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS247™

封装/箱体

ISOPLUS247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

26A

系列

IXGR32N170

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.7 kV

集电极—射极饱和电压

4.2 V

集电极最大连续电流Ic

200 A

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