图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FDA24N40F
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDA24N40F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDA24N40F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA24N40F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA24N40F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 400V 23A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA24N40F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA24N40F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDA24N40F 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 400V 的高击穿电压和低导通电阻特性,适用于多种电力电子应用场合。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源 (SMPS)  
   FDA24N40F 可用于开关电源中的功率开关,例如反激式、正激式或升压/降压转换器。其高耐压能力和快速开关速度使其适合高频开关应用,能够提高效率并减小变压器尺寸。

2. 电机驱动  
   在中小功率电机驱动中,FDA24N40F 可作为主功率开关或同步整流器件。它适用于家用电器(如风扇、水泵)、工业设备以及电动工具等场景。

3. 逆变器  
   该 MOSFET 可用于太阳能微型逆变器或其他小型逆变器中,实现直流到交流的转换。其高耐压特性有助于应对输入电压波动。

4. 电池管理系统 (BMS)  
   在电池保护电路中,FDA24N40F 可用作充放电路径的开关,确保过流、短路或过压情况下的安全性。

5. 固态继电器 (SSR)  
   凭借其高耐压和低漏电流特性,FDA24N40F 可用作固态继电器的核心元件,用于替代传统机械继电器,提供更长寿命和更高可靠性。

6. 负载切换与保护  
   在汽车电子或消费电子产品中,该器件可用于负载切换电路,以实现对下游电路的快速开启/关闭控制,并提供过流保护功能。

7. LED 驱动器  
   在大功率 LED 照明系统中,FDA24N40F 可用作电流调节开关,支持恒流驱动以保证 LED 的稳定亮度。

8. 家电与消费电子  
   包括空调、洗衣机、冰箱等家电产品中的功率控制模块,以及音频放大器中的开关元件。

总之,FDA24N40F 的高耐压、低损耗和可靠性能使其成为各种中高压功率转换和控制应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PNMOSFET 400V N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

23 A

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA24N40FUniFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDA24N40F

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

235 W

Pd-功率耗散

235 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

400 V

Vds-漏源极击穿电压

400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

92 ns

下降时间

75 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3030pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 11.5A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

典型关闭延迟时间

120 ns

功率-最大值

235W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Tc)

系列

FDA24N40F

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:FDFMA2P853T

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSC067N06LS3GATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSZ035N03LSGATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFR3410TRLPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRL7833SPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFIBC20GPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP13N95K3

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI8808DB-T2-E1

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FDA24N40F 相关产品

ZVN3310ASTOA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SUD50N025-06P-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFP048PBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

SIR670DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFR9014TRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQAF33N10L

品牌:ON Semiconductor

价格:

PSMN2R0-30BL,118

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

BUK7505-30A,127

品牌:NXP USA Inc.

价格: