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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30BL,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R0-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R0-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN2R0-30BL,118是一款30V、2.0mΩ(典型值)的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具备低导通电阻、高功率密度和优异热性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL(负载点)电源模块,提升效率并减小散热设计难度; - 电机驱动:适用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动、风扇/泵类低压驱动电路,支持10V以下栅极驱动(兼容3.3V/5V逻辑); - 电池管理系统(BMS):用于锂电池保护板中的充放电主回路开关或二级保护开关,凭借低Rds(on)降低压降与功耗; - 热插拔与电子保险丝:在工业I/O模块、PoE供电设备中实现快速过流保护与软启动控制; - LED照明驱动:作为PWM调光开关或恒流源开关管,满足高频率、高效率要求。 该器件通过AEC-Q101认证(车规级),亦可用于车载辅助系统(如车身控制、智能座舱电源管理),但需结合具体设计满足功能安全要求。其LFPAK封装支持双面散热,适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-30BL,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R0-30BL,118 |
| Pd-PowerDissipation | 211 W |
| Pd-功率耗散 | 211 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9483-6 |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Single |