Datasheet下载- 型号： FDFMA2P853T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFMA2P853T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFMA2P853T价格参考。Fairchild SemiconductorFDFMA2P853T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFMA2P853T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFMA2P853T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFMA2P853T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，适用于多种电子设备和系统中需要高效开关或功率管理的场合。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： FDFMA2P853T 适合用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、负载开关等应用中，能够高效地控制电流流动并减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机控制电路中，该 MOSFET 可作为开关元件，用于调节电机的速度和方向，常见于家用电器、电动工具和工业自动化设备。 3. 电池管理系统（BMS）： 用于保护电池组免受过充、过放、短路等异常情况的影响，确保电池的安全性和使用寿命。 4. 消费类电子产品： 包括智能手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑电源模块等，提供高效的电力传输和转换功能。 5. 汽车电子： 在车载电子系统中，如车窗升降器、座椅调节、LED 照明控制等，FDFMA2P853T 提供可靠的开关性能和低导通电阻特性。 6. 信号切换： 用于音频设备、通信设备中的信号切换，保证信号的准确传递和处理。 7. 工业控制： 在工业自动化设备中，用于继电器替代、电磁阀驱动、传感器接口等场景，提高系统的可靠性和效率。 FDFMA2P853T 的低导通电阻（Rds(on)）和高能效特性使其成为许多功率应用的理想选择，同时其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFETMOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDFMA2P853TPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDFMA2P853T |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDFMA2P853TDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2X2 Thin |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | FDFMA2P853 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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