Datasheet下载- 型号： NGB8207ABNT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8207ABNT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8207ABNT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8207ABNT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8207ABNT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8207ABNT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8207ABNT4G是Littelfuse Inc.生产的一款MOSFET单管，属于功率半导体器件，适用于高效率、高频率的开关应用。该器件基于先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，提升能效并减少能量损耗。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的驱动模块。 3. 照明系统：可用于LED驱动电源，支持高亮度LED的稳定工作，提高照明系统的整体效率。 4. 消费电子：常见于笔记本电脑、显示器、充电器等便携式设备的电源管理单元。 5. 绿色能源：在太阳能逆变器或小型可再生能源系统中，作为关键开关元件参与能量转换过程。 该型号采用符合RoHS标准的环保封装（如DPAK或类似），具有良好的散热性能和可靠性，适合在工业级温度范围内稳定运行。其高性价比和稳定性能使其成为中低功率应用中的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8207ABNT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 3.7V， 10A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NGB8207ABNT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 365V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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