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IRGB15B60KDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGB15B60KDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGB15B60KDPBF价格参考。International RectifierIRGB15B60KDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRGB15B60KDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGB15B60KDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRGB15B60KDPBF的器件是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于晶体管中的功率器件类别,常用于高电压和高电流的应用场景。 该器件的应用场景主要包括: 1. 电机驱动和变频器:适用于工业电机控制、变频空调等需要高效能功率开关的场合。 2. 电源转换系统:如不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)中,用于实现高效的DC-AC或DC-DC转换。 3. 家电控制:例如电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。 4. 照明系统:用于高强度气体放电灯(HID)或LED照明的电源管理。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、电动汽车充电设备等,适用于对效率和可靠性有较高要求的绿色能源系统。 该IGBT具有良好的热稳定性和过载能力,适合在中高功率应用中替代传统的MOSFET或双极晶体管,提供更高的效率和更小的导通损耗。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 34ns/184ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 62A |
| 描述 | IGBT 600V 31A 208W TO220ABIGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 56nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGB15B60KDPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRGB15B60KDPBF |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 220µJ (开), 340µJ (关) |
| TestCondition | 400V,15A,22 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,15A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRGB15B60KDPBF |
| 功率-最大值 | 208W |
| 功率耗散 | 139 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 92ns |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 31 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 31A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irgbsl15b60kd.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irgbsl15b60kd.spi |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |