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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH16N170A由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH16N170A价格参考。IXYSIXGH16N170A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH16N170A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH16N170A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGH16N170A是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结功率MOSFET)类别。该型号具有以下关键参数和应用场景: 参数特点: - 耐压值:1700V,适用于高电压环境。 - 导通电阻:典型值为3.5Ω(在特定条件下),确保较低的功耗。 - 电流能力:持续漏极电流可达16A(根据具体条件可能有所变化)。 - 封装形式:通常为TO-247或类似大功率封装,适合散热需求较高的场合。 应用场景: 1. 高压电源系统 用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等需要高电压处理能力的电路中。其1700V的耐压能力使其非常适合工业级或特殊用途的高压电源设计。 2. 电机驱动与控制 在高压电机驱动领域,如伺服电机、步进电机或其他高压电机控制系统中,IXGH16N170A可以作为功率开关器件,实现高效能的开关控制。 3. 逆变器与变频器 该型号可用于太阳能逆变器、风力发电逆变器以及工业变频器中,提供稳定的高压开关性能,支持可再生能源系统的高效能量转换。 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) 在电动车的动力管理系统中,如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及牵引逆变器中,这款MOSFET能够满足高电压和高效率的要求。 5. 工业设备 包括焊接机、感应加热设备、X射线设备等需要高电压输出的工业应用中,IXGH16N170A凭借其出色的耐压能力和可靠性,成为理想选择。 6. 脉冲功率应用 如激光器驱动、放电灯驱动等需要快速开关和高电压承受能力的场景,这款MOSFET也能胜任。 总结来说,IXGH16N170A主要应用于高压、高效率的电力电子设备中,尤其适合对电压耐受性和开关速度有较高要求的工业及能源相关领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 36ns/160ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
描述 | IGBT 1700V 16A 190W TO247IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 65nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGH16N170A- |
数据手册 | |
产品型号 | IXGH16N170A |
SwitchingEnergy | 900µJ (关) |
TestCondition | 850V, 16A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 5V @ 15V,11A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
功率-最大值 | 190W |
功率耗散 | 190 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | IXYS |
在25C的连续集电极电流 | 16 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1700V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
系列 | IXGH16N170 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
集电极—射极饱和电压 | 4.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |