Datasheet下载- 型号： HGT1S7N60C3DS9A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S7N60C3DS9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S7N60C3DS9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S7N60C3DS9A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S7N60C3DS9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S7N60C3DS9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S7N60C3DS9A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单功率MOSFET器件，属于超级结MOSFET系列，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热性能，广泛应用于以下场景： 1. 电源适配器与充电器：适用于笔记本电脑、手机等便携设备的高效率AC-DC电源适配器，提升能量转换效率，减小体积。 2. LED照明电源：用于LED驱动电源中，实现高功率因数和低谐波失真，满足节能照明需求。 3. 工业电源与SMPS（开关电源）：适用于各类工业设备中的开关电源模块，提供高效稳定的电能转换。 4. 家电电源系统：如变频空调、洗衣机等家电中的PFC（功率因数校正）电路，提高用电效率。 5. 新能源应用：如光伏逆变器、储能系统中的DC-DC转换部分，支持绿色能源系统的高效运行。 该器件采用小型DFN5x6封装，便于散热设计，适合高密度电源布局，适用于需要高效率和高可靠性的中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 56A |
| 描述 | IGBT 600V 14A 60W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 23nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGT1S7N60C3DS9A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 165µJ （开）， 600µJ （关） |
| TestCondition | 480V， 7A， 50欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 37ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 14A |
| 输入类型 | 标准 |
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