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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXST35N120B由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXST35N120B价格参考。IXYSIXST35N120B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXST35N120B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXST35N120B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXST35N120B是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管MOSFET,具有高耐压和大电流承载能力,适用于高效率、高频率的电力电子系统。该器件的典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS),适用于通信设备、服务器电源等对效率和体积要求高的场合。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、伺服驱动器和无刷直流电机控制器中,提供快速开关和低导通损耗,提高系统响应速度和能效。 3. 逆变器应用:在太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统中,作为核心开关元件实现高效的能量转换。 4. 电动汽车相关系统:如车载充电器、电驱控制系统,利用其高可靠性和耐高温特性,适应严苛工作环境。 5. 工业控制与自动化:在各类工业设备中用于功率调节和负载控制,提升系统整体效率与稳定性。 IXST35N120B凭借其优良的热性能和电气特性,广泛应用于需要高效能功率管理的工业、通信及新能源领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 36ns/160ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 140A |
描述 | IGBT 1200V 70A 300W TO268 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 120nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXST35N120B |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 5mJ(关) |
TestCondition | 960V, 35A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.6V @ 15V,35A |
供应商器件封装 | TO-268 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70A |
输入类型 | 标准 |