Datasheet下载- 型号： NGD15N41CLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD15N41CLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD15N41CLT4G价格参考。ON SemiconductorNGD15N41CLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGD15N41CLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD15N41CLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Littelfuse Inc. 的 NGD15N41CLT4G 是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单功率MOSFET器件，常用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能功率控制的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，用于提高转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型电机驱动电路，提供快速开关响应和可靠控制。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持恒流输出与高效调光功能，适用于商业及工业LED照明。 4. 逆变器系统：可用于太阳能逆变器或UPS（不间断电源）中，协助直流电到交流电的转换，提升系统整体效率。 5. 消费电子与工业设备：如充电器、适配器、电源板等需要高可靠性MOSFET的场合。 NGD15N41CLT4G采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合在较高功率密度环境下工作。其符合RoHS标准，并带有绿色环保认证（后缀“G”表示无卤素/符合环保要求），适用于注重环保与安全的现代电子设计。总体而言，该器件适用于对效率、可靠性和热性能有较高要求的中等功率电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/4µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 15A 107W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD15N41CLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，6.5A，1 千欧 |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 4V， 10A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD15N41CLT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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