Datasheet下载- 型号： RJH1CV7DPQ-E0#T2
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH1CV7DPQ-E0#T2由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH1CV7DPQ-E0#T2价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH1CV7DPQ-E0#T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJH1CV7DPQ-E0#T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH1CV7DPQ-E0#T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RJH1CV7DPQ-E0#T2 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能650V/30A IGBT模块（内置反并联快恢复二极管），采用紧凑型TO-247-4L封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.6V @ IC=30A）和优化的开关特性。其典型应用场景包括： • 工业变频驱动：用于中小型交流电机驱动器（如HVAC风机、水泵、压缩机控制），支持高频PWM调制与高效节能运行； • 感应加热设备：作为谐振逆变桥主开关，满足ZVS/ZCS软开关需求，提升热效率与系统可靠性； • 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：适用于DC-AC单相或三相逆变级，兼顾高效率与短路鲁棒性（具备短路耐受时间≥2μs）； • 电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC变换器：在中功率（1–5kW）拓扑中实现高功率密度设计； • 焊接电源与电磁炉等家电功率模块：凭借高雪崩耐量与温度稳定性，适应严苛工况。 该器件集成驱动优化引脚（独立发射极Kelvin连接），显著降低米勒效应影响，提升开关可控性与EMI性能，适用于对效率、可靠性及紧凑性要求较高的中功率电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 53ns/185ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 1200V 70A 320W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 166nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RJH1CV7DPQ-E0#T2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 3.2mJ （开）， 2.5mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 35A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，35A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 320W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 200ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70A |
| 输入类型 | 标准 |
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