Datasheet下载- 型号： RJP60D0DPK-00#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJP60D0DPK-00#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJP60D0DPK-00#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJP60D0DPK-00#T0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJP60D0DPK-00#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJP60D0DPK-00#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的RJP60D0DPK-00#T0是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。这种型号的MOSFET适用于多种电力电子应用场景，主要涉及高效能功率转换和开关操作。以下是其可能的应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，提供高效的电压转换和电流控制。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，RJP60D0DPK-00#T0可以用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确的速度和方向控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池保护和管理系统中，该MOSFET可以用作开关元件，确保电池充放电过程的安全性和稳定性。 4. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器或工业变频器中，这款MOSFET能够处理高频开关任务，提高能量转换效率。 5. 负载开关：在消费电子产品或汽车电子中，它可用作负载开关，快速响应负载变化并保护电路免受过流或短路影响。 6. LED驱动：用于高亮度LED照明系统中，作为开关元件调节电流以维持LED亮度的一致性。 7. 通信设备：在基站、路由器等通信设备中，用于信号放大和功率管理。 RJP60D0DPK-00#T0凭借其低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，在这些应用中表现出色，特别适合需要高效功率转换和低损耗的场合。具体应用还需根据实际电路设计要求进行选型和优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 35ns/90ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 45A 140W TO-3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 45nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJP60D0DPK-00#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V, 22A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，22A |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | RJP60D0DPK00T0 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 45A |
| 输入类型 | 标准 |
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