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  • 型号: IRG4PSH71UPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PSH71UPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PSH71UPBF价格参考。International RectifierIRG4PSH71UPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4PSH71UPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PSH71UPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号IRG4PSH71UPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超小型功率MOSFET)类别。以下是其主要应用场景:

 1. 消费电子
   - 电源适配器:用于AC-DC或DC-DC转换电路,提供高效的功率转换。
   - 笔记本电脑和手机充电器:作为开关元件,实现高频开关功能,提升充电效率。
   - 家电设备:如风扇、吸尘器等中小功率电机驱动应用。

 2. 工业控制
   - 电机驱动:适用于小功率直流电机的驱动和控制,例如步进电机或无刷直流电机。
   - 逆变器:在小型光伏逆变器或UPS(不间断电源)中,用于功率转换和稳压。
   - 开关电源(SMPS):作为核心开关器件,应用于各种工业级开关电源模块。

 3. 汽车电子
   - 车载电子系统:用于车窗升降、座椅调节等低功率负载的控制。
   - LED照明:驱动车内或外部LED灯组,提供高效稳定的电流输出。
   - 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护和能量管理。

 4. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的小型化电源模块中,作为功率开关使用。
   - 信号放大器:用于功率放大器中的电压调节和稳定。

 5. 物联网(IoT)设备
   - 智能传感器:为传感器供电并进行信号处理。
   - 无线模块:用于低功耗无线通信设备的电源管理。

 性能特点支持的应用需求:
- 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,适合高效能要求的应用。
- 高开关速度:支持高频工作环境,满足现代电子设备对快速响应的需求。
- 小型封装:节省空间,适用于对体积有严格要求的设计。

总结来说,IRG4PSH71UPBF广泛应用于需要高效功率转换、小型化设计和高可靠性的场景,特别适合消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

51ns/280ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 1200V 99A 350W SUPER247IGBT 晶体管 1200V UltraFast 8-40kHz

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

370nC

IGBT类型

-

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PSH71UPBF-

数据手册

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产品型号

IRG4PSH71UPBF

PCN过时产品

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SwitchingEnergy

4.77mJ (开), 9.54mJ (关)

TestCondition

960V, 70A, 5 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.7V @ 15V,70A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

SUPER-247(TO-274AA)

其它名称

*IRG4PSH71UPBF

功率-最大值

350W

功率耗散

350 W

包装

散装

反向恢复时间(trr)

-

商标

International Rectifier

在25C的连续集电极电流

99 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-274AA

封装/箱体

TO-274AA

工厂包装数量

25

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

99A

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.2 kV

集电极—射极饱和电压

2.7 V

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